先进的超结MOSFET DTMOSⅥ产品
DTMOS系列具有超结结构，即使漂移层具有高耐受电压，也能够降低其电阻。从我们的第四代DTMOSⅣ系列开始，将采用单层外延工艺来实现低导通电阻和高速开关。最新一代DTMOSⅥ系列与传统的DTMOSⅣ-H系列相比，通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）的乘积（这是品质因数），能够提高开关电源的效率。
漏源导通电阻与栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）的乘积是品质因数：值越小，MOSFET的导通损耗和开关损耗越低。在DTMOSⅥ系列中，通过优化栅极设计和工艺，与传统DTMOSIV-H系列产品相比，RDS(ON)×Qgd降低约40%。此外，与竞争对手的同等器件相比，我们降低了约30%，这有助于提高开关电源的效率。
通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）的乘积（这是MOSFET的品质因数），我们对最大输出功率为2.5kW的PFC电路评估板进行效率评估，发现与传统的DTMOSⅣ系列产品相比，整个输出功率范围内的功率转换效率提高了。特别是，在2.5kW的输出功率下，功率转换效率提高了0.36%，就输出功率水平而言降低了约10W。这有助于提高服务器和电信设备等工业设备的开关电源所需的效率。
上图显示了在最高功率输出为1.6kW的服务器AC-DC电源PFC电路中，DTMOSⅥ、传统产品和竞争对手产品的功率转换效率的比较评估结果。我们的DTMOSⅥ系列在AC230V和AC180V输入条件下，在50%负载条件电源效率高达大约95%。与传统产品和竞争对手产品相比，本产品在整个输出功率范围内都能达到相同或更高的效率，适合用于服务器等需要高效率开关电源的应用。
DTMOSVI系列MOSFET
电路仿真
利用开关电源选型工具库（SMPS Lib.），您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑，以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
在线电路仿真器
在线电路仿真器是帮助用户验证和选择MOSFET，无需构建仿真环境，即可轻松验证运行情况。
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