DTMOS系列具有超结结构,即使漂移层具有高耐受电压,也能够降低其电阻。从我们的第四代DTMOSⅣ系列开始,将采用单层外延工艺来实现低导通电阻和高速开关。最新一代DTMOSⅥ系列与传统的DTMOSⅣ-H系列相比,通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)的乘积(这是品质因数),能够提高开关电源的效率。
漏源导通电阻与栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)的乘积是品质因数:值越小,MOSFET的导通损耗和开关损耗越低。在DTMOSⅥ系列中,通过优化栅极设计和工艺,与传统DTMOSIV-H系列产品相比,RDS(ON)×Qgd降低约40%。此外,与竞争对手的同等器件相比,我们降低了约30%,这有助于提高开关电源的效率。
通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)的乘积(这是MOSFET的品质因数),我们对最大输出功率为2.5kW的PFC电路评估板进行效率评估,发现与传统的DTMOSⅣ系列产品相比,整个输出功率范围内的功率转换效率提高了。特别是,在2.5kW的输出功率下,功率转换效率提高了0.36%,就输出功率水平而言降低了约10W。这有助于提高服务器和电信设备等工业设备的开关电源所需的效率。
上图显示了在最高功率输出为1.6kW的服务器AC-DC电源PFC电路中,DTMOSⅥ、传统产品和竞争对手产品的功率转换效率的比较评估结果。我们的DTMOSⅥ系列在AC230V和AC180V输入条件下,在50%负载条件电源效率高达大约95%。与传统产品和竞争对手产品相比,本产品在整个输出功率范围内都能达到相同或更高的效率,适合用于服务器等需要高效率开关电源的应用。
利用开关电源选型工具库(SMPS Lib.),您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
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