IEGT（PPI）

新产品ST2000JXH35A采用新开发的沟槽型IEGT芯片，具有优化的单元结构，实现了高关断能力和高短路耐受能力，使其适用于需要高电压的应用。

将多个IEGT芯片以阵列形式放置于同一平面上，用钼板将单个IEGT芯片从两端均匀地压入。每个IEGT芯片的集电极和发射极将在机械压力的作用下通过钼板接触到压装式外壳的相应铜电极。这不仅实现了电气连接也保证了散热。

IEGT是一种高功率器件，可通过电压驱动控制大电流。其通过改进IGBT发射极的元件结构，有效改善了随集电极-发射极电压升高而急剧增加的导通状态电压。