2-1.肖特基接触（肖特基结）Φ_m＞Φ_n

设金属的功函数为Φ_m，n型半导体的功函数为Φ_n。当Φ_m＞Φ_n时，n型（或p型）半导体与金属接触时形成肖特基结。肖特基结用于制造肖特基势垒二极管。下图是n型半导体和金属形成的肖特基结的能带图。
当电子从较高能级移动至较低能级时，它们会从半导体的导带移动至金属的导带。因此，耗尽区仅延伸至半导体侧。与pn结的情况一样，半导体侧的费米能级与金属侧的费米能级匹配。在平衡状态下，结的扩散势垒等于金属的功函数（Φ_m）减去n型半导体的功函数（Φ_n）。
根据费米分布，自由电子分布在n型半导体上。穿过V_D势垒的电子流入金属。
施加外部电压不会影响从金属到半导体的势垒，但会导致从半导体到金属的势垒因施加的电压而移动。扩散势垒的这种移动导致流过肖特基势垒二极管的电流发生变化。