Contact us

在新窗口打开 在新窗口打开

继电器驱动用小型双MOSFET:SSM6N357R

产品新闻2018年2月

The package photograph of small dual MOSFET for relay drivers: SSM6N357R.

“SSM6N357R”MOSFET产品在其漏极和栅极端子之间装有齐纳二极管,适用于驱动电感负载,比如机械继电器。
SSM6N357R集成了下拉电阻、串联电阻和齐纳二极管,有助于减少器件数量和节省电路板空间。此外,因为它是一个双型(2合1)产品,它的安装面积比采用两个SSM3K357R(2.4 × 2.9mm)的单型产品的安装面积减小约42%。TSOP6F封装具有低至3.0V的工作电压,而且符合AEC-Q101标准,所以SSM6N357R适用于汽车及其它诸多应用。

特点

  • 小巧双型(2合1),外围电路组件内置
  • 低的工作电压:3.0V
  • 符合AEC-Q101标准

应用

  • 汽车设备(继电器和电磁阀控制等)
  • 工业设备(继电器和电磁阀控制等)
  • 办公自动化设备(离合器控制等)

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 最大绝对额定值 电气特性
名称 尺寸典型值
(mm)
漏极-
源极
电压
VDSS
(V)
栅极-
源极
电压
VGSS
(V)
漏极
电流
(DC)
ID
(mA)
功率
耗散
PD
(W)
漏极-源极导通
电阻
RDS(ON)
最大值
(Ω)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)
@VGS
=3.0V
@VGS
=5.0V
SSM6N357R TSOP6F 2.9×2.8 60 ±12 650 1.0 2.4 1.8 1.5 43

引脚分布

The illustration of pin assignment of small dual MOSFET for relay drivers: SSM6N357R.

应用电路实例

The illustration of application circuit example of small dual MOSFET for relay drivers: SSM6N357R.

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

安装面积比较

The illustration of comparison of mounting area of small dual MOSFET for relay drivers: SSM6N357R.

Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is correct on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.