东芝拓展了有助于降低车载设备功耗的-60V P沟道功率MOSFET的产品线

产品新闻2023年06月

有助于降低汽车设备功耗的-60V P沟道功率MOSFET的产品线扩展

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线,现已开始量产两款采用SOP Advance(WF)封装的产品: XPH8R316MC和XPH13016MC。

新产品XPH8R316MC和XPH13016MC已通过AEC-Q101汽车可靠性标准认证。SOP Advance(WF)封装是一种采用可焊锡侧翼引脚结构的表贴式封装。这种封装方式不仅便于对电路板安装状态进行自动外观检查,还通过采用铜连接器结构降低了封装电阻。
XPH8R316MC的漏源导通电阻最大值为8.3mΩ,与东芝现有产品TPCA8123[1]相比,约降低了25%;XPH13016MC的漏源导通电阻最大值为12.9mΩ,与东芝现有产品TPCA8125[1]相比,约降低了49%。这两款新产品有助于降低车载设备的功耗。

注:
[1]SOP Advance封装

应用

  • 车载设备:负载开关、半导体继电器、电机驱动电路等。

特性

  • AEC-Q101认证
  • 低导通电阻
    XPH8R316MC:RDS(ON)=8.3mΩ(最大值)(VGS=-10V)
    XPH13016MC:RDS(ON)=12.9mΩ(最大值)(VGS=-10V)
  • SOP Advance(WF)封装采用可焊锡侧翼引脚结构和铜连接器结构。

 

主要规格

(除非另有规定,Ta=25°C)

器件型号

XPH8R316MC

XPH13016MC

极性

P沟道

绝对最大额定值

漏极-源极电压VDSS(V)

-60
漏极电流(直流)ID(A) -90 -60
漏极电流(脉冲)IDP(A) -180 -120

结温Tch(°C)

175

热特性


通道与外壳之间的热阻Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

最大值

0.88

1.13

电气特性


漏极-源极导通电阻RDS(ON) (mΩ)
VGS=-4.5V 最大值 10.2 16.6
VGS=-10V 最大值 8.3 12.9

封装

SOP Advance(WF)

系列

U-MOSVI

内部电路

内部电路

应用电路示例

应用电路示例

注:

本文所示应用电路仅供参考。

需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
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