东芝拓展了有助于降低车载设备功耗的-60V P沟道功率MOSFET的产品线

产品新闻2023年06月

有助于降低汽车设备功耗的-60V P沟道功率MOSFET的产品线扩展

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，现已开始量产两款采用SOP Advance(WF)封装的产品： XPH8R316MC和XPH13016MC。

新产品XPH8R316MC和XPH13016MC已通过AEC-Q101汽车可靠性标准认证。SOP Advance(WF)封装是一种采用可焊锡侧翼引脚结构的表贴式封装。这种封装方式不仅便于对电路板安装状态进行自动外观检查，还通过采用铜连接器结构降低了封装电阻。
XPH8R316MC的漏源导通电阻最大值为8.3mΩ，与东芝现有产品TPCA8123[1]相比，约降低了25%；XPH13016MC的漏源导通电阻最大值为12.9mΩ，与东芝现有产品TPCA8125[1]相比，约降低了49%。这两款新产品有助于降低车载设备的功耗。

注：
[1]SOP Advance封装

应用

  • 车载设备：负载开关、半导体继电器、电机驱动电路等。

特性

  • AEC-Q101认证
  • 低导通电阻
    XPH8R316MC：RDS(ON)＝8.3mΩ（最大值）（VGS＝-10V）
    XPH13016MC：RDS(ON)＝12.9mΩ（最大值）（VGS＝-10V）
  • SOP Advance(WF)封装采用可焊锡侧翼引脚结构和铜连接器结构。

 

主要规格

（除非另有规定，Ta=25°C）

器件型号

XPH8R316MC

XPH13016MC

极性

 P沟道

绝对最大额定值

漏极-源极电压VDSS（V）

 -60
漏极电流（直流）ID（A） -90 -60
漏极电流（脉冲）IDP（A） -180 -120

结温Tch（°C）

 175

热特性


通道与外壳之间的热阻Zth(ch-c) （°C/W）

Tc＝25°C

 最大值

0.88

1.13

电气特性
漏极-源极导通电阻RDS(ON) （mΩ）		 VGS＝-4.5V 最大值 10.2 16.6
VGS＝-10V 最大值 8.3 12.9

封装

SOP Advance(WF)

系列

U-MOSVI

内部电路

内部电路

应用电路示例

应用电路示例

注：

本文所示应用电路仅供参考。

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