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东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

2020年10月19日

东芝电子元件及存储装置株式会社

Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET that Contributes to High-efficiency Power Supply

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET “TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),将于今日开始出货。

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1],实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右,开关时间(下降时间)缩短大约70%,并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内,有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外,内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中,这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的,而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

注:
[1] 东芝于2020年7月30日发布的新闻:”T可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
[2] 环境温度25°C

应用:

  • 大容量AC-DC转换器
  • 光伏逆变器
  • 大容量双向DC-DC转换器

特性

  • 第2代芯片设计(内置碳化硅SBD)
  • H高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压:
          VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),RDS(ON)=70mΩ (典型值),
          VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2至5.8V
  • 增强类型易于操作

主要规格

(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特性

库存查询与购买

漏-源电压

VDSS

(V)

漏极电流(DC)

ID

@Tc25℃

(A)


漏-源导通电阻

RDS(ON)

典型值

@VGS20V

(mΩ)

栅阈值电压

Vth

@VDS10V,

ID20mA

(V)

总栅电荷

Qg

典型值

(nC)

输入电容

Ciss 典型值 (pF)

二极管正向电压

VDSF

典型值

@IDR10A,

VGS-5V

(V)

TW070J120B

TO-3P(N)

1200

36.0

70

4.2至5.8

67

1680

-1.35

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TW070J120B

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TW070J120B

 

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