东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

2020年10月19日

东芝电子元件及存储装置株式会社

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET “TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），将于今日开始出货。

该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产^[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A^[2]的漏极电流下提供低导通电压。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

• 大容量AC-DC转换器
• 光伏逆变器
• 大容量双向DC-DC转换器

• 第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）
• 高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
  　　    V_DSS＝1200V，C_iss＝1680pF（典型值），Q_g＝67nC（典型值），R_DS(ON)＝70mΩ （典型值），
  　　    V_DSF＝-1.35V（典型值），V_th＝4.2至5.8V
• 增强类型易于操作

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