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使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门

SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源

解决环境和能源问题是一个重要的全球性问题。随着电力需求持续升高,对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。

功率半导体具有将直流电转换成交流电的逆变器功能,将交流电转换成直流电的转换器功能,还具有改变交流电频率的变频器功能。这些重要器件有助于实现各类产品和不同领域的节能。

相比于传统的硅(Si)MOSFET和IGBT产品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高压,高速开关,低导通电阻性能。除减少产品尺寸外,该类产品可极大降低功率损耗。

SIC MOSFET支持小型化、低损耗电源

SiC MOSFET的介绍

SiC MOSFET的特性

SiC MOSFET的特性

由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的10倍,因此SiC功率器件可以提供高耐压和低压降。与相同耐压条件下的Si相比,SiC器件中的单位面积导通电阻更低。

SiC MOSFET与Si IGBT的损耗比较

使用SiC MOSFET的好处是什么?

使用SiC MOSFET提高效率的应用示例介绍

SiC MOSFET参考设计简介

随着工业领域里商品化和标准化进展,越来越多的案例将基于器件选择和最优电路解决方案的高度通用参考设计用作有效的开发设计方法。
本章节提供采用SiC MOSFET的参考设计,以便能快速推进您的设备设计进程。

3相AC 400V输入PFC转换器参考设计

3相AC 400V输入PFC转换器

东芝3相400V交流输入功率因数校正(PFC)电路的参考设计展示了如何使用SiC MOSFET提高电源效率。该设计实现了97%的功率转换效率,0.99或更高的功率因数。这是诸如电动汽车(EV)充电桩等大功率转换器的PFC(栅极驱动电路、传感器电路、输出功率开关)的参考设计。
随着电动汽车的日益普及,对于高效、紧凑型的电力转换系统的需求不断提高。该东芝参考设计为功率转换器PFC提供了一个很好的起点。它可用作原型设计和开发应用程序的基础,有助于发挥全部潜能。

5kW隔离式双向DC-DC变换器参考设计

5kW隔离式双向DC-DC转换器

东芝的5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计展示如何使用SiC MOSFET提高电源设计效率。该设计采用双有源桥(DAB)法,是此类大功率转换器的最受欢迎拓扑之一。DAB拓扑的两侧均有全桥,以便通过调节左右侧桥电路之间的相位差来控制功率方向和大小。这种高度通用的参考设计是开发诸如电动汽车充电桩和太阳能发电机逆变器等大功率转换应用及原型设计的起点。

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