保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管:DF2B12M4SL、DF2B26M4SL

产品新闻2018年4月

“DF2B12M4SL”和“DF2B26M4SL”是具有低动态电阻和低电容的TVS二及管,适用于保护高电压线路,比如智能手机和平板电脑中所用的NFC[1]天线。
新产品的峰值反向工作电压是11V/24V。它们扩大了现有的峰值反向工作电压为3.6V/5.5V/18.5V的DF2BxxM4SL产品系列。客户可以根据其使用的信号电压选择产品。此外,其低电容可对高速信号提供更好的保护(比如差分信号)。
新产品的特点是具有低动态电阻[2]和±15kV[3]的高静电放电电压,新产品有助于提高NFC[1]天线等器件的可靠性。
凭借小封装SOD-962[4](东芝封装名:SL2),这些产品适用于高密度安装。

注:
[1] NFC(近场通信)是一种短距离无线电通信功能,应用于各种器件,比如IC卡、手机、电脑和家用电器。
[2] 用作比较保护性能的指标。较低的动态电阻表示较好的噪声吸收。
[3] IEC61000-4-2(接触放电)
[4] 0.62×0.32×0.3mm(典型值)

特点

  • 具有低动态电阻的高保护性能:
      RDYN=0.2Ω(典型值)(DF2B26M4SL)
      RDYN=0.65Ω(典型值)(DF2B12M4SL)
  • 支持高电压线路,比如NFC[1]天线
  • 高的静电放电电压额定值:VESD=±15kV @IEC61000-4-2(接触)等级4

应用

  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 台式电脑
  • 可穿戴设备等

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 最大
绝对
额定值
峰值反向工作电压VRWM
最大值
(V)
反向击穿电压VBR
最小值/最大值
@IBR=1mA
(V)
钳位电压VC[5]
典型值
(V)
动态
电阻
RDYN[6]
典型值
@IPP1=8A~
IPP2=16A
(Ω)
总电容Ct
典型值
@VR=0V
(pF)
静电
放电
电压
VESD[3]
(kV)
@ITLP
=8A
@ITLP
=16A
DF2B5M4SL SOD-962[4]
(SL2)
±20 3.6 4.0/6.0 - 17 0.5 0.2
DF2B6M4SL ±20 5.5 5.6/ 8 - 18 0.5 0.2
DF2B12M4SL[7] ±15 11 11.5/16.0 22 27 0.65 0.2
DF2B20M4SL ±15 18.5 19.5/26 26 27.6 0.2 0.2
DF2B26M4SL[7] ±15 24 21.0/33.0 30 31.5 0.2 0.2

注:
[5] @IEC61000-4-5 8/20μs脉冲
[6] @TLP参数:ZO=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均窗口t1=30ns~t2=60ns
[7] 新产品

内部电路

保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管内部电路图示:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。
保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管内部电路图示:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。

应用电路示例

保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管应用电路实例说明:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。
保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管应用电路实例说明:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

特性曲线(参考)

保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管特性曲线图示:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。
保护高电压线路(比如NFC天线)的TVS二极管特性曲线图示:DF2B12M4SL,DF2B26M4SL。

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