扩大有助于提高电源效率，600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品线
产品新闻2024年7月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩大了其600 V N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，该系列产品采用东芝最新一代工艺[1]制造而成，具有超结结构。这些新产品适用于数据中心所使用的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。利用不同的封装和漏源导通电阻，该产品线增加了“TK40N60Z1、TK080N60Z1、TK080A60Z1、TK085V60Z1、 TK125N60Z1、TK125A60Z1、TK130V60Z1、TK155A60Z1和 TK165V60Z1”九款产品。
通过优化栅极设计和工艺，600 V DTMOSVI系列产品与东芝当前一代具有相同漏源额定电压的DTMOSIV-H系列产品相比，每一个单位面积的漏源导通电阻值降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这意味着新产品比现有产品实现了更好的导通损耗和开关损耗之间的权衡性。DTMOSVI系列的新产品将有助于提高电源效率。
东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将继续扩大其DTMOSVI系列产品线，通过不断降低开关电源的功耗来支持节能。
注：
[1]截止于2024年7月31日
应用
- 开关电源（数据中心服务器等）
- 光伏发电机的功率调节器
- 不间断电源系统
特性
- 实现了低的RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻×栅漏电荷），并且实现了高效开关电源
主要规格
(Ta=25°C)
| 器件型号 | 封装 | 漏源电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
漏源导通电阻 RDS(ON) （Ω） |
栅极电荷总量 Qg （nC） |
栅漏电荷 Qgd （nC） |
输入电容 Ciss （pF） |
东芝现有产品系列 （DTMOSIV） 器件型号 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS＝10 V | ||||||||
| 最大值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||
| TK040N60Z1 | TO-247 | 600 | 52 | 0.040 | 85 | 22 | 5200 | TK62N60X TK62N60W |
| TK080N60Z1 | TO-247 | 30 | 0.080 | 43 | 12 | 2510 | TK31N60X TK31N60W |
|
| TK080A60Z1 | TO-220SIS | TK31A60W | ||||||
| TK085V60Z1 | DFN8×8 | 0.085 | TK31V60X TK31V60W |
|||||
| TK125N60Z1 | TO-247 | 20 | 0.125 | 28 | 8 | 1620 | TK25N60X TK20N60W |
|
| TK125A60Z1 | TO-220SIS | TK25A60X | ||||||
| TK130V60Z1 | DFN8×8 | 18 | 0.130 | TK25V60X | ||||
| TK155A60Z1 | TO-220SIS | 17 | 0.155 | 24 | 7 | 1350 | TK20A60W | |
| TK165V60Z1 | DFN8×8 | 16 | 0.165 | TK20V60W |
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。
特别是在量产设计阶段，需要进行全面评估。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
特性曲线[2]
注：
[2]东芝测量值。
*本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
在新窗口打开