漏极电流I_D和I_DP（绝对最大额定值）是否随温度变化？

封装的热阻与数据表中所示的最高额定结温与每个产品的允许范围密切相关。

数据表中列出的漏极电流ID・IDP是按25°C的环境温度在理想散热条件下指定的。I_D是指在施加直流电时正向漏极电流的最大额定值，而I_DP是在指定的脉冲宽度下可以施加的正向漏极电流的额定值。
这些电流被设置为当MOSFET在额定工况下在导通区域（线性区域）内工作时结温不超过T_ch（最大值）。
MOSFET在导通区域内温度升高的主要原因是漏极与源极之间的导通电阻R_DS(ON)导致的功率损耗P_Rloss。
例如，求出施加直流电时的正向漏极电流I_D。
用以下等式表示由导通电阻R_DS(ON)导致的损耗P_Rloss。

P_Rloss = R_DS(ON) x I_D²

假设产品的热阻为R_th(ch-c)，则用以下等式表示由损耗产生的热量引起的温升ΔT。

ΔT = P_Rloss ｘ R_th(ch-c)

结温是通过在MOSFET工作期间将ΔT与的外壳温度T_C相加后得出的，因此必须满足以下等式。

T_c+ ΔT < T_ch（最大值）

解出I_D的上述公式后可得出：可以相同方式考虑I_DP。

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