栅极电荷
由于MOSFET的栅极(G)输入端子是绝缘的,因此从栅极看到的电荷量Q是重要特性。图1.5展示了栅极电荷特性的定义。
总栅极电荷Qg
向栅极施加电压(从零电压到指定电压)的电荷量
栅极-源极电荷1 Qgs1
MOSFET开始导通所需的电荷量(在降低漏源电压之前)
栅极-漏极电荷Qgd
米勒平台(Miller plateau)上的栅极电荷量
栅极开关电荷Qsw
从栅极-源极电压达到Vth到米勒平台(Miller plateau)结束时存储在栅极电容中的电荷量
输出电荷Qoss
漏源电荷
栅极电荷量的定义见下图。
数据表说明
特性 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
总栅极电荷 | Qg | VDD≈20V,VGS=10V,ID=50A | — | 103 | — | nC |
VDD≈20V,VGS=4.5V,ID=50A | — | 49 | — | |||
栅极-源极电荷1 | Qgs1 | VDD≈20V,VGS=5V,ID=50A | — | 25 | — | |
栅极-漏极电荷 | Qgd | — | 12.4 | — | ||
栅极开关电荷 | QSW | — | 23 | — | ||
输出电荷 | QOSS | VDS=20V,VGS=0V | — | 85.4 | — |