如果向基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的电压，会发生什么情况？

切勿向基极端子施加超过绝对最大额定值表（表1）中所示的发射极-基极额定电压（V_EBO）的电压（对于npn晶体管为负偏压，对于pnp晶体管为正偏压）。否则会降低h_FE和其它参数。

当单稳态多谐振荡器由双极晶体管组成时，可向基极施加超过额定V_EBO的偏置电压。

下文介绍了图1中所示的多谐振荡器的操作。

1.假设Q₁最初为导通状态。因此，Q₁的集电极电压接近GND电平。
C₁通过R₃充电，而C₂通过R₂充电。

2.C₁充电后，Q₂的基极-集电极电压达到其导通电压（约0.7V），从而导通。
Q₂的集电极电压降至接近GND的电平。在此之前，C₂两端的电压充电至V_CC–0.7V。即使Q₂的集电极电压下降，C₂仍保持充电状态。因此，C₂基极端上Q₁端子的电压降至0.7V-V_CC。

重复这些步骤以充当单稳态多谐振荡器。

假设V_CC＝10V，则Q₁和Q₂的发射极-基极电压达到-9.3V，超过额定V_EBO（-5V）。