如果向双极结型晶体管（BJT）基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的反向电压，会发生什么情况？

双极晶体管的发射极浓度最高，其次是基极，然后是集电极。发射极的浓度比基极的浓度高100倍以上。浓度越高，耐电压越低。
V_EBO只有几伏。将大幅值信号输入基极时必须小心。此外，有些电路中还施加了反向偏压，例如下面的电路。设计时请考虑使用条件。
当单稳态多谐振荡器由双极晶体管组成时，可向基极施加超过额定V_EBO的偏置电压。
下文介绍了图1中所示的多谐振荡器的操作。

1. 假设Q₁最初为导通状态。因此，Q₁的集电极电压接近GND电平。C₁通过R₃充电，而C₂通过R₂充电。
2. C₁充电后，Q₂的基极-集电极电压达到其导通电压（约0.7V），从而导通。Q₂的集电极电压降至接近GND的电平。在此之前，C₂两端的电压充电至V_CC–0.7V。即使Q₂的集电极电压下降，C₂仍保持充电状态。因此，C₂基极端上Q₁端子的电压降至0.7V-V_CC。重复这些步骤以充当单稳态多谐振荡器。假设V_CC＝10V，则Q₁和Q₂的发射极-基极电压达到-9.3V，超过-5V的额定V_EBO。