MOSFET的电气特性（动态特性t_r／t_on／t_f／t_off）

开关特性

由于功率MOSFET为多数载流子器件，因此与双极晶体管相比，其速度更快，并且能以更高的频率进行开关操作。
开关时间测量电路和输入／输出波形如下所示。

1. t_{d (on)}: 导通延迟时间
   指从栅极-源极电压升高超过V_GS的10%，到漏极-源极电压达到V_DS的90%的时间。
2. t_r：上升时间
   指漏极-源极电压从V_DS的90%降至10%的所需时间。
3. t_on：导通时间
   导通时间等于t_{d (on)}＋ t_r。
4. t_{d (off)}：关断延迟时间
   指从栅极-源极电压降至V_GS的90%以下，到漏源电压达到V_DS的10%的时间。
   
5.  t_f：下降时间
   指漏极-源极电压从V_DS的10%升至90%的用时。
6. t_off：关断时间
   关断时间等于t_d(off)+ t_f。

数据表说明