当偏置电阻内置晶体管（BRT）导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）

图1显示了使用NPN BRT的基本开关电路。
当NPN BRT在饱和区导通时，由于外部电阻（R_L）和集电极电流（I_C），其集电极电压降至GND电平。但是，实际上，集电极和GND（发射极）电位之间有一个称为集电极-发射极饱和电压（V_CE(sat)）的电压电平。可通过增加基极电流（I_B）来降低V_CE(sat)。
（由于当图1的电路处于“导通”状态时，V_CE(sat) << V_CC，故I_C = V_CC/R_L，这几乎恒定不变。因此，增加I_B会导致h_FE（= I_C/I_B）减小。这意味着BRT达到更深的饱和度，从而降低了V_CE(sat)。）

通常，只能将有限范围的电压施加至基极。因此，让我们考虑如何在特定的基极电压下使更多的基极电流（I_b）。

内部基极电流（I_b）表示如下：
    I_b＝I_B–I_R2＝（V_I–V_be）/R₁–V_be/R₂

其中，V_I为输入电压，V_be为内部晶体管的基极-发射极电压，可以将其视为恒定在大约0.7V*。

I_b等式表明可通过使用BRT来增加I_b：
1）R₁小值
2）R₂大值
这并不意味着电阻比（R₁/R₂）较小的BRT，而是R₁值较小的BRT。这种BRT在特定输入电压（V_I）下会向基极传输更大的电流。
但这种BRT的缺点是其会消耗更多的功率并进入更深的饱和度的状态，从而导致开关速度降低。同样，饱和电压随着温度的升高而增加，如图4所示。
需考虑这些因素以实现最佳设计。