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东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

 2021年11月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
从左到右:SO6L(LF4)和SO6L封装

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H” ,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。

TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄性封装(SO6L)可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1],便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,或用于器件高度受限的新型电路设计。

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易设计和保持温度裕度。

此外,东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。

注:
[1] 封装高度:4.25毫米(最大值)
[2] 现有产品:采用SDIP6封装的TLP700H

应用

  • 工业设备
    • 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性

  • 高峰值输出电流额定值(@Ta=-40℃至125℃)
    IOP=±2.5A(TLP5702H)
    IOP=±5.0A(TLP5705H)
  • 薄型SO6L封装
  • 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125℃

主要规格

(除非另有说明,@Ta=-40℃至125℃)

器件型号

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封装

名称

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸(mm)

10×3.84(典型值),

厚度: 2.3(最大值)

11.05×3.84 (典型值),

厚度: 2.3(最大值)

绝对最大额定值

工作温度Topr(°C)

-40至125

峰值输出电流IOPH/IOPL(A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

电气特性

峰值高电平输出电流

IOPH最大值(A)

@IF=5mA,

VCC=15V,

V6-5=-7V

-2.0

峰值低电平输出电流

IOPL最小值(A)

@IF=0mA,

VCC=15V,

V5-4=7V

2.0

峰值高电平输出电流(L/H)

IOLH最大值(A)

@IF=0→10mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

-3.5

-3.5

峰值低电平输出(H/L)

IOHL最小值(A)

@IF=10→0mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

3.0

3.0

电源电压VCC (V)

15至30

电源电流ICCH,ICCL最大值(mA)

3.0

输入电流阈值(L/H)

IFLH最大值(mA)

5

开关特性

传播延迟时间

tpHL,tpLH最大值(ns)

200

脉宽失真

|tpHL–tpLH|最大值(ns)

50

传播延迟差(器件到器件)

tpsk(ns)

-80至80

共模瞬变抗性

CMH,CML最小值(kV/μs)

@Ta=25°C

±50

隔离特性

隔离电压

BVS最小值(Vrms)

@Ta=25°C

5000

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