2018年1月10日
东芝公司
π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点
东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。
π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计,与现有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度,因此有助于减小设计工作量。此外,π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流,可轻松取代现有的MOSFET。
东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件,以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。
产品型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | RDS(ON) 最大值(Ω) VGS=10V |
Qg 典型值 (nC) |
Ciss 典型值 (pF) |
当前一代
(π-MOS VII系列) 产品型号 |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|
VDSS(V) | ID(A) | ||||||
TK650A60F | TO-220SIS | 600 | 11 | 0.65 | 34 | 1320 | TK11A60D |
TK750A60F | TO-220SIS | 600 | 10 | 0.75 | 30 | 1130 | TK10A60D |
TK1K2A60F | TO-220SIS | 600 | 6 | 1.2 | 21 | 740 | TK6A60D(1.25Ω) |
TK1K9A60F | TO-220SIS | 600 | 3.7 | 1.9 | 14 | 490 | TK4A60DB(2.0Ω) |
注:
[1] TK10A60D与TK750A60F相比较(65W笔记本电脑适配器的200MHz范围内)
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