关于偏置电阻内置晶体管（BRT）的h_FE

BRT包含电阻R₁和R₂，如图2所示。*
BRT的hFE定义不同于典型的双极晶体管，用下列等式表示：

h_FE＝I_C/I_B＝I_C/（ I_b＋I_R2）   ... （1）
I_R2＝V_be/R₂＝0.7^**/R₂       ...（2）
对于仅包含R₁的典型双极晶体管或BRT，I_B = I_b。因此，h_FE表示为：
h_FE＝I_C／I_b            ... （3）

BRT的h_FE与典型双极晶体管的h_FE不同之处在于，等式（1）的分母包括I_R2.
#1：等式（2）表明IR2与R2成反比。R2值较高的BRT具有较高的hFE。
#2：分母中的Ib与IC成正比，但是IR2是仅取决于R2的一个常数。
因此，由于R₂的影响较大，故hFE在低集电极电流区减小。
显然，不带R2的BRT和典型双极晶体管都不具备这种特性。^***