MOSFET的数据表：电容和开关特性

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＜电气特性＞

  • 输入电容（Ciss）等于Cgd＋Cgs
    栅极-漏极和栅极-源极电容
  • 反向传输电容（Crss）等于Cgd
    栅极-漏极电容
  • 输出电容（Coss）等于Cgd＋Cds
    栅极-漏极和漏极-源极和栅极-漏极电容
MOSFET数据表：电容和开关特性
  • 上升时间（tr）
    是漏极-源极电压从90%变为10%的时间
  • 导通时间（ton）
    栅极-源极电压上升到10%的瞬间和漏极-源极电压下降到10%的瞬间之间的间隔时间
  • 下降时间（tf）
    漏极-源极电压从10%变为90%的时间
  • 关断时间（toff）
    栅极-源极电压下降到90%的瞬间和漏极-源极电压上升到90%的瞬间之间的间隔时间
MOSFET数据表：电容和开关特性

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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内置偏置电阻型晶体管（BRT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
详细信息
BJT和MOSFET的差异
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MOSFET的结构和工作原理
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
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MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
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MOSFET的性能：电容的特性
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MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
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IGBT的性能改进：垂直设计的发展
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什么是RC-IGBT和IEGT?
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IGBT的应用
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IGBT和MOSFET的正向特性比较
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晶体管的结构比较
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MOSFET的数据表：最大额定值
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MOSFET的数据表：电气特性
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MOSFET的数据表：体二极管
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