BJT和MOSFET的差异
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关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。
（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）
（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
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