BJT和MOSFET的差异

下载“第Ⅲ章：晶体管” (PDF:2.0MB) 

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。

（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）
（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）

BJT的开关操作
图3-5（a）BJT的开关操作
MOSFET的开关操作
图3-5（b）MOSFET的开关操作

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
详细信息
双极晶体管（BJT）
详细信息
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
详细信息
结型场效应晶体管（JFET）
详细信息
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
详细信息
MOSFET的结构和工作原理
详细信息
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
详细信息
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
详细信息
MOSFET的性能：电容的特性
详细信息
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
详细信息
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
详细信息
什么是RC-IGBT和IEGT?
详细信息
IGBT的应用
详细信息
IGBT和MOSFET的正向特性比较
详细信息
晶体管的结构比较
详细信息
MOSFET的数据表：最大额定值
详细信息
MOSFET的数据表：电气特性
详细信息
MOSFET的数据表：电容和开关特性
详细信息
MOSFET的数据表：体二极管
详细信息

相关信息

返回分立半导体器件页面

在新窗口打开