MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）

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安全工作区域（SOA）有两种模式。

（1）正向偏置SOA（F.B. SOA）：电流和电压在导通状态下的可用面积。
（2）反向偏压SOA（R.B. SOA）：电流和电压在关断操作时的可用面积。

由于用于开关操作，施加的脉宽非常窄。

每种模式的定义如图3-12（a）所示。

实际运行中的SOA定义
图3-12（a）实际运行中的SOA定义
MOSFET的F.B.SOA实例
图3-12（b）MOSFET的F.B.SOA实例
  • 关于雪崩保证，通常保证MOSFET关断时的额定电压／电流操作（短时），但R.B. SOA尚未公布。
  • F.B. SOA由三个限制区域（额定电流、额定电压和热阻区）和二次击穿区域组成。
  • 这三个限制区域由器件额定值限制或由热阻计算。但二次击穿区域是通过测量实际器件获得。

第Ⅲ章：晶体管

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