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东芝GaN功率器件实现了高性能和易用性的平衡

适用于需要降低功耗和小型化的设备应用

一方面,为实现无碳社会,节能引起人们广泛关注,另一方面,电力需求也在不断增长。小型高效电力转换系统的需求迅速增加。不仅促进了Si(硅)功率半导体器件性能的提高,还引入了化合物功率半导体器件。我们将扩展Si功率半导体器件产品线并提高产能。在化合物半导体方面,我们的SiC(碳化硅)半导体产品已实现商业化。此外,我们正在推动GaN(氮化镓)功率器件的开发。
通过提供更易于使用的高性能GaN功率器件,我们帮助客户降低设备功耗并减小尺寸。

功率器件应用范围

Si器件是目前功率器件的主流。SiC器件以其良好的导热性在大功率、高能效应用方面更具前景。GaN器件具有更好的开关特性,适于高效及小型化应用。

功率器件应用范围

GaN功率器件特性

GaN是一种具有高临界击穿场强、高电子迁移率的半导体材料。用于半导体器件可提高开关速度,降低导通电阻。由于开关频率高,减少了冷却单元数量,GaN有助于降低功耗、提高输出,减小客户设备尺寸。

GaN功率器件优势

东芝GaN功率器件

便于栅级控制

由于采用东芝原创常开+共源共栅级联结构,因此便于通过串联栅极电阻(Rg)控制开关转换速率(dVDS/dt)。
(传统级联型结构难以控制。)

开关转换速率曲线

高性能且易用配置

东芝原装外围电路及相应电路板设计
VDSS:650V
RDS(ON):54mΩ(典型值)
Package:QFN9×9(9mm×9mm)

东芝原装外围电路及相应电路板设计

提高抗噪能力
采用原创常开型器件,可保证更高的Vth,不易产生故障。(一般常关JFET,Vth约为1.2V

Vth

高效
在我们的图腾柱PFC板测试样品上,效率高达99.4%(~2.5kW)
经确认效率高于其他器件。

在我们的图腾柱PFC板测试样品上,效率高达99.4%

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