东芝GaN功率器件实现了高性能和易用性的平衡
适用于需要降低功耗和小型化的设备应用
一方面，为实现无碳社会，节能引起人们广泛关注，另一方面，电力需求也在不断增长。小型高效电力转换系统的需求迅速增加。不仅促进了Si（硅）功率半导体器件性能的提高，还引入了化合物功率半导体器件。我们将扩展Si功率半导体器件产品线并提高产能。在化合物半导体方面，我们的SiC（碳化硅）半导体产品已实现商业化。此外，我们正在推动GaN（氮化镓）功率器件的开发。
通过提供更易于使用的高性能GaN功率器件，我们帮助客户降低设备功耗并减小尺寸。
功率器件应用范围
Si器件是目前功率器件的主流。SiC器件以其良好的导热性在大功率、高能效应用方面更具前景。GaN器件具有更好的开关特性，适于高效及小型化应用。
GaN功率器件特性
GaN是一种具有高临界击穿场强、高电子迁移率的半导体材料。用于半导体器件可提高开关速度，降低导通电阻。由于开关频率高，减少了冷却单元数量，GaN有助于降低功耗、提高输出，减小客户设备尺寸。
东芝GaN功率器件
便于栅级控制
由于采用东芝原创常开+共源共栅级联结构，因此便于通过串联栅极电阻（Rg）控制开关转换速率（dVDS/dt）。
(传统级联型结构难以控制。)
高性能且易用配置
东芝原装外围电路及相应电路板设计
VDSS：650V
RDS(ON)：54mΩ（典型值）
Package：QFN9×9（9mm×9mm）
提高抗噪能力
采用原创常开型器件，可保证更高的Vth，不易产生故障。（一般常关JFET，Vth约为1.2V）
高效
在我们的图腾柱PFC板测试样品上，效率高达99.4%（～2.5kW）
经确认效率高于其他器件。
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