东芝推出采用新型封装的车规40V N沟道功率MOSFET

2018年4月11日
东芝电子元件及存储装置株式会社

—采用小型低电阻封装，实现更低的导通电阻

TPHR7904PB，TPH1R104PB
TPHR7904PB，TPH1R104PB

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款采用小型低电阻SOP Advance（WF）封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是车规40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

这两款新MOSFET产品采用第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝前代设计（U-MOS IV）相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI（电磁干扰）。

SOP Advance （WF）封装采用“可焊锡侧翼”（wettable flank）端子结构，支持在焊接之后进行自动光学检测（AOI）

应用场合

  • 电动助力转向系统（EPS）
  • 负载开关
  • 电子泵

特点

  • 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance（WF）封装，实现了最大导通电阻（RDS（ON）最大值）仅有0.79mΩ。
  • 低噪音特性降低了电磁干扰（EMI）。
  • 采用可焊锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。
可焊锡侧翼引脚
可焊锡侧翼引脚

主要规格

（除非另作说明，@Ta=25°C）

产品型号 漏源极电压
VDSS（V）		 漏极电流（DC）
ID（A）		 漏源极导通电阻
RDS（ON）最大值（mΩ）		 栅源极之间内置稳压二极管 系列
@VGS＝6V @VGS＝10V
TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 否 U-MOS IX
TPHR7904PB 150 1.3 0.79 否 U-MOS IX

有关MOSFET产品阵容的更多信息，请访问如下链接：

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

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