MOSFET的数据表：体二极管

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＜电气特性＞

  • 连续漏极反向电流（IDR）
    直流漏极-源极二极管的正向电流
  • 脉冲漏极反向电流（IDRP）
    脉冲漏极-源极二极管的正向电流
  • 正向电压（二极管）（VDSF）
    正向电流漏极-源极二极管的电压降
  • 反向恢复时间（trr）
    指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复时间
  • 反向恢复电荷（Qrr）
    指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复电荷
MOSFET数据表：体二极管

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
详细信息
双极晶体管（BJT）
详细信息
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
详细信息
结型场效应晶体管（JFET）
详细信息
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
详细信息
BJT和MOSFET的差异
详细信息
MOSFET的结构和工作原理
详细信息
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
详细信息
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
详细信息
MOSFET的性能：电容的特性
详细信息
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
详细信息
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
详细信息
什么是RC-IGBT和IEGT?
详细信息
IGBT的应用
详细信息
IGBT和MOSFET的正向特性比较
详细信息
晶体管的结构比较
详细信息
MOSFET的数据表：最大额定值
详细信息
MOSFET的数据表：电气特性
详细信息
MOSFET的数据表：电容和开关特性
详细信息

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