东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗

产品新闻2023年8月

东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗

东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）推出三款80V N沟道功率MOFET扩展产品，三款产品均采用其最新一代[1] “U-MOSX-H系列”工艺，适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品采用表面贴装型SOP Advance(N)封装，“TPH3R008QM ”漏源导通电阻 (最大值) 为3mΩ， “TPH6R008QM”为6mΩ，“TPH8R808QM”为8.8 mΩ。

新产品降低了品质因数（FOM: 表示为导通电阻×电荷特性[2]。）以TPH3R008QM为例，与现有产品TPH4R008NH相比，其品质因数，即漏源导通电阻与总栅极电荷乘积约下降48 %，漏源导通电阻与栅极开关电荷乘积约下降16 %，漏源导通电阻与输出电荷乘积约下降33 %，有助于降低设备功耗。

东芝正在扩大其产品线，以帮助降低设备功耗。

注：

[1]截至2023年8月
[2]总栅极电荷，栅极开关电荷，输出电荷

应用

  • 开关电源（高效AC-DC转换器，高效DC-DC转换器等）
  • 电机控制设备（电机驱动器等）

特性

  • 最新一代[1]工艺U-MOSX-H系列
  • 低导通电阻：
    TPH3R008QM RDS(ON)＝3mΩ（最大值）（VGS＝10V）
    TPH6R008QM RDS(ON)＝6mΩ（最大值）（VGS＝10V）
    TPH8R808QM RDS(ON)＝8.8mΩ（最大值）（VGS＝10V）
  • 高额定结温：Tch（最大值）＝175°C

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号

绝对最大额定值

漏源导通电阻RDS(ON)

（mΩ）

总栅极电荷

Qg

（nC）

栅极开关电荷

QSW

（nC）

输出电荷

Qoss

（nC）

输入电容

Ciss

（pF）

栅极电阻

rg

（Ω）

封装

漏源电压

VDSS

（V）

漏极电流
（DC）
ID
（A）

结温

Tch

（°C）

VGS＝10V

VGS＝6V

Tc＝25°C

最大值

最大值

典型值

典型值

典型值

典型值

典型值

TPH3R008QM

80

100

175

3

4.3

71

21.6

74

5090

1.7

SOP Advance(N)

TPH6R008QM

59

6

8.4

38

12

40

2500

1.5

TPH8R808QM

52

8.8

12.5

26

8.6

31

1750

1.5

内部电路

内部电路

应用电路示例

应用电路示例

注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

 

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