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晶体管的结构比较
下载“第Ⅲ章：晶体管” (PDF:2.0MB)
| 晶体管的结构 | 双极晶体管（BJT） | MOSFET | IGBT |
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| 栅极（基极） 驱动方法 |
电流驱动 （低输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
| 栅极（基极） 驱动电路 |
复杂 (元件数量多) |
简单 | 简单 |
| 正向特性 | 低VCE(sat) | 高导通电压 （大电流区） 无阀值电压 |
低VCE(sat) 有阀值电压 |
| 开关速度 | 低速 （具有载流子积累效应） |
超高速 （单极操作） |
高速 （MOSFET和BJT的中间） |
| FWD （包括体二极管） |
无 | 有 （体二极管） | 无（在RC结构中有） |
| 安全工作区 | 窄 | 宽 | 中等 |
第Ⅲ章：晶体管
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