晶体管的结构比较
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| 晶体管的结构 | 双极晶体管（BJT） | MOSFET | IGBT |
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| 栅极（基极） 驱动方法 |
电流驱动 （低输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
| 栅极（基极） 驱动电路 |
复杂 (元件数量多) |
简单 | 简单 |
| 正向特性 | 低VCE(sat) | 高导通电压 （大电流区） 无阀值电压 |
低VCE(sat) 有阀值电压 |
| 开关速度 | 低速 （具有载流子积累效应） |
超高速 （单极操作） |
高速 （MOSFET和BJT的中间） |
| FWD （包括体二极管） |
无 | 有 （体二极管） | 无（在RC结构中有） |
| 安全工作区 | 窄 | 宽 | 中等 |
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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