通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容：TK430A60F，TK370A60F

产品新闻2019年2月

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的封装照片：TK430A60F，TK370A60F。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了最新的[1]600V N沟道平面MOSFET π-MOSIX系列产品“TK430A60F”和”TK370A60F”，以扩大其产品阵容。
与传统的π-MOSVII系列产品相比，π-MOSIX系列新产品通过优化芯片设计，在保持效率的同时，降低了EMI噪声峰值，提高了设计的灵活性，节省了设计工作。TK750A60F (π-MOSIX)是该系列中现有的产品,与传统产品TK10A60D（π-MOSVII）相比，其EMI噪声峰值降低了5dB[2]。此外，π-MOSIX系列具有相当于漏极电流（DC）额定值的额定雪崩电流，使其成为传统MOSFET的简单替代品。
未来，东芝将继续扩大该系列的产品阵容。

注：
[1] 截止于2019年1月
[2] 200MHz区域中的65W笔记本电脑适配器

特点

  • 采用最新的[1]平面MOSFET工艺（π-MOSIX系列）
  • 保持高效率和低噪声
  • 安全雪崩电流额定值等于漏极电流（DC）额定值。

应用

  • 小到中等开关电源（笔记本电脑的交流适配器、游戏机充电器等）
  • 照明电源

产品规格

（@Ta＝25°C）

器件型号 封装 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS（ON）
最大值
@VGS＝10V
（Ω）		 总栅极电荷
Qg
典型值
（nC）		 输入电容
Ciss
典型值
（pF）		 传统系列
（π-MOSVII系列）
器件型号
漏极-源极电压
VDSS
（V）		 漏极电流
（DC）
ID
（A）
TK430A60F TO-220SIS 600 13 0.43 48 1940 TK13A60D
TK370A60F 15 0.37 55 2200 TK15A60D

内部电路

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的内部电路图示：TK430A60F，TK370A60F。

应用电路示例

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的应用电路示例说明：TK430A60F，TK370A60F。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

最新[1]系列和传统系列的比较[3]（参考数据）

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的最新系列和传统系列的比较说明：TK430A60F，TK370A60F。

注：
[3] 东芝测量值（最新系列TK750A60F和传统系列TK10A60D比较）

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