产品新闻2019年2月
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了最新的[1]600V N沟道平面MOSFET π-MOSIX系列产品“TK430A60F”和”TK370A60F”,以扩大其产品阵容。
与传统的π-MOSVII系列产品相比,π-MOSIX系列新产品通过优化芯片设计,在保持效率的同时,降低了EMI噪声峰值,提高了设计的灵活性,节省了设计工作。TK750A60F (π-MOSIX)是该系列中现有的产品,与传统产品TK10A60D(π-MOSVII)相比,其EMI噪声峰值降低了5dB[2]。此外,π-MOSIX系列具有相当于漏极电流(DC)额定值的额定雪崩电流,使其成为传统MOSFET的简单替代品。
未来,东芝将继续扩大该系列的产品阵容。
注:
[1] 截止于2019年1月
[2] 200MHz区域中的65W笔记本电脑适配器
(@Ta=25°C)
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
注:
[3] 东芝测量值(最新系列TK750A60F和传统系列TK10A60D比较)
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