为什么东芝的功率MOSFET所具有的栅极-源极漏电流（I_GSS）比其它公司的大？

东芝的功率MOSFET通常在栅极和源极之间设有齐纳二极管以用于静电保护，这使得I_GSS增加了额外的漏电流。因此，具有齐纳二极管的功率MOSFET所具有的I_DSS略微大于不具有齐纳二极管的功率MOSFET（其漏电流仅来自于介电薄膜）。