双极结型晶体管（BJT）的集电极端和发射极端能否互换？

通常，双极晶体管的设计需保证实现高hFE。为实现此目的，发射极中的大量载流子（在npn晶体管中为电子）必须扩散至基极区，然后有效地穿过基极区进入集电极。还必须控制集电极区中的耗尽层，以增强晶体管的耐受电压（即集电极-基极电压，V_CBO）。可通过以下方式满足这些条件：

1. 使发射极区中的掺杂浓度高于基极区中的掺杂浓度；
2. 减小基极区的厚度；
3. 降低集电极区中的掺杂浓度。

因此，三个半导体区域中的掺杂浓度具有以下关系：发射极>>基极>集电极。
普通晶体管由于集电极浓度低而保持高击穿电压（V_CBO／V_CEO）。 如果反向连接，高浓度发射极将充当集电极，能够施加的电压（V_EBO）将变得极低。
如果集电极端子和发射极端子反向连接，则不满足上述关系。在这种情况下，hFE会降低，从而使双极晶体管无法按预期工作，并可能导致基极电流超过其规定的额定值。此外，由于VCEO降低，晶体管关断时可能会击穿。由于上述原因，反向连接的晶体管可能会永久损坏。
除了设计为反向连接的静音晶体管*外，必须按正常方向连接典型的双极晶体管。