双极晶体管的集电极端和发射极端能否互换?

不能。晶体管在正确连接的情况下方能实现最佳性能。将集电极端和发射极端互换不仅会降低晶体管的性能,而且还可能永久损坏器件。

通常,双极晶体管的设计需保证实现高hFE。为实现此目的,发射极中的大量载流子(在npn晶体管中为电子)必须扩散至基极区,然后有效地穿过基极区进入集电极。还必须控制集电极区中的耗尽层,以增强晶体管的耐受电压(即集电极-基极电压,VCBO)。可通过以下方式满足这些条件:

1.使发射极区中的掺杂浓度高于基极区中的掺杂浓度;

2.减小基极区的厚度;

3.降低集电极区中的掺杂浓度。

因此,三个半导体区域中的掺杂浓度具有以下关系:发射极>>基极>集电极。

如果集电极端子和发射极端子反向连接,则不满足上述关系。在这种情况下,hFE会降低,从而使双极晶体管无法按预期工作,并可能导致基极电流超过其规定的额定值。此外,由于VCEO降低,晶体管关断时可能会击穿。由于上述原因,反向连接的晶体管可能会永久损坏。

除了设计为反向连接的静音晶体管*外,必须按正常方向连接典型的双极晶体管。

 

*目前,东芝不提供静音晶体管。

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