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东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET

2018年07月31日

东芝电子元件及存储装置株式会社

- 新封装提供双面散热,有效改善散热。

DSOP Advance(WF)

东京--八月,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。  

这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用先进沟道结构的MOSFET,实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散,因此散热设计灵活性得到提高。  

与东芝之前的U-MOS IV系列相比,U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声,有助于降低电磁干扰(EMI)[1]。“DSOP Advance(WF)”封装采用可焊锡侧翼端子结构[2]

应用场合

  • 电动助力转向系统
  • 负载开关
  • 电子泵

特点

  • 符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用场合
  • 采用顶板(top plate)[3]和漏极的双面散热封装
  • 可焊锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
  • U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性

主要规格

(@Ta=25℃)

产品型号
绝对最大额定值
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) 栅源极之间内置稳压二极管
系列
封装
漏源极电压 VDSS
(V)
漏极电流(直流) ID
(A)
@VGS
6V
@VGS= 10V
TPWR7904PB 40 150 1.3 0.79
U-MOS IX-H
DSOP Advance(WF)L
TPW1R104PB 120 1.96 1.14
DSOP Advance(WF)M

注:

[1] EMI(电磁干扰)

[2] 可焊锡侧翼端子结构:一种端子结构,支持在电路板上进行安装的自动光学检测(AOI)。

[3] 请注意,该顶板与源极电势相同,但不能用于电极。

客户问询:

日本总部
功率器件销售&市场部门
电话:+81-3-3457-3933
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中国地区
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上海:021-6139-3888 / 深圳:0755-2399-6897
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