高压IPD中的自举电路是什么？

通常，N沟道MOSFET或IGBT的栅极以比源极电压或发射极电压高出10V至15V的电压进行驱动。当高压侧器件导通时，源极（或发射极）电压等于高压电源（V_BB）的电压。因此，对于高边器件的栅极驱动，需要一个电压非常高的电源，该电压等于V_BB与栅极-源极（栅极-发射极）电压的总和。下面显示了一个自举电路。当低压侧器件导通时，自举电容器（C）存储电荷，用于驱动高压侧器件的栅极。