高压IPD中的自举电路是什么？

下面介绍IGBT驱动自举电路的工作原理。

如图2所示，当高侧IGBT Q1处于关断状态、低侧IGBT Q2处于导通状态时，Q1的发射极电位下降至地电位（GND）。在这种状态下，电流沿V_CC→二极管D_B→自举电容C_B→Q₂的路径流动，从而对自举电容C_B进行充电。
自举电容C_B上端的电位被充电至控制电源电压V_CC减去二极管D_B的正向压降V_F后的电压值。同时，由于Q2处于导通状态，C_B下端的电位（即Q1的发射极电位）为GND。因此，C_B两端的电压V_CB为： V_CB＝V_CC－V_F。

此后，当Q₂关断时，C_B的充电回路被切断（D_B也随之截止）。但由于C_B中存储的电荷尚未放电，因此C_B两端的电压V_CB得以保持。此时，Q₁仍处于关断状态，其发射极电位为GND。接下来，当需要使Q₁导通时，存储在C_B中的电荷使电压V_CB施加到Q₁的栅极上。由于该栅极与发射极之间的电位差V_CB足以满足Q₁的导通条件，因此Q₁被驱动导通。
如图3所示，当Q₁导通时，其发射极电位上升至与高压电源V_BB相同的电位。即使在这种状态下，C_B中储存的电荷仍然保持不变，因此C_B两端的电压V_CB也得以维持。由于C_B下端的电位为V_BB，因此其上端电位为V_CB＋V_BB，即高于高压电源电压V_BB的电位。由此，Q₁的栅极与发射极之间仍可保持V_CB的电位差，因此Q₁能够持续保持导通状态。

通过这种方式，自举电路能够在不受Q₁发射极电位变化影响的情况下，产生使Q₁导通所需的栅极电位。
然而，为了给自举电容C_B充电，必须存在一段Q₁关断且Q₂导通的时间。当这段关断时间过短时，C_B两端电压V_CB可能无法充分建立，导致栅极驱动电压不足。因此，在电路设计时，必须充分考虑这一点。