MOSFET的性能：漏极电流和功耗

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允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值，计算如下。
（有些产品采用了不同的电流表达式。）
通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律，由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

PD：功耗

⇒ 器件指定温度条件下允许的功耗

功耗

ID：漏极电流

⇒直流额定值：正向流动的直流电流。（在室温下定义）

漏极电流

IDp：脉冲漏极电流

⇒指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。

脉冲漏极电流

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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内置偏置电阻型晶体管（BRT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
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BJT和MOSFET的差异
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MOSFET的结构和工作原理
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
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MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
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MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
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按结构分类的MOSFET特性摘要
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MOSFET的性能：雪崩能力
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MOSFET的性能：电容的特性
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MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
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IGBT的性能改进：垂直设计的发展
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什么是RC-IGBT和IEGT?
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IGBT的应用
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IGBT和MOSFET的正向特性比较
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晶体管的结构比较
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MOSFET的数据表：最大额定值
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MOSFET的数据表：电气特性
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MOSFET的数据表：电容和开关特性
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MOSFET的数据表：体二极管
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