MOSFET的性能:漏极电流和功耗

允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值,计算如下。
(有些产品采用了不同的电流表达式。)
通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律,由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

PD:功耗

器件指定温度条件下允许的功耗

功耗

ID:漏极电流

⇒直流额定值:正向流动的直流电流。(在室温下定义)

漏极电流

IDp:脉冲漏极电流

⇒指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。

脉冲漏极电流

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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