有助于降低应用中电源损耗的第3代SiC MOSFET

功率器件是管理和降低各种电子设备电能功耗以及实现碳中和社会的重要元器件。由于与比硅材料相比，碳化硅具有更高的电压和更低的损耗，因此碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备小型化。然而，可靠性问题一直制约着SiC器件的普及和市场发展。

因此，东芝第3代SiC MOSFET具有以下特点。

1. 内置肖特基势垒二极管（SBD）降低正向电压V_DSF，抑制导通电阻R_DS(ON)波动
2. 降低代表导通损耗与开关损耗之间关系的性能指标R_DS(ON)×Q_gd 
3. 宽栅源额定电压V_GSS范围

东芝第3代SiC MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品，可降低服务器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等各种应用的电源损耗。

东芝第3代SiC MOSFET具有以下特性。

东芝第3代SiC MOSFET内置与漏极和源极之间PN二极管并联的肖特基势垒二极管（SBD），可将反向导通正向电压VDSF降低至1.35V（典型值）。
SBD通电时，我们可抑制因SiC晶体缺陷扩散而引起的漏极和源极之间导通电阻R_DS(ON) 的波动。
当从源极到漏极施加250A/cm²电流密度1000小时时，在体二极管通电作用下，无内置SBD的SiC MOSFET导通电阻R_DS(ON)最大达42%。
然而内置SBD的第3代SiC MOSFET，由于SBD可以通电，我们能够将导通电阻R_DS(ON) 的波动抑制在最大3%。

通过优化单元结构，第3代SiC MOSFET代表导通损耗和开关损耗之间关系的性能指标R_DS(ON)×Q_gd比我们现有第2代产品降低80% [注]。

东芝第3代SiC MOSFET额定栅源电压为-10至25 V，比其他公司产品的电压范围宽，从而提高了驱动电压的裕量，有助于简化栅极驱动设计 (建议驱动电压：V_{GS_on}＝18V，V_{GS_off}＝0V)。

有关解决方案的相关信息，请访问：.
服务器
不间断电源
LED照明

有关各种应用说明，请访问：
第3代SiC MOSFET的特性（PDF: 1,318KB）
FAQ：SiC MOSFET应用说明（PDF: 818KB）
SiC MOSFET和 Si IGBT比较：SiC MOSFET应用说明（PDF: 922KB）
绝对最大额定值和电气特性：SiC MOSFET应用说明（ PDF: 812KB）

有关常见问题，请访问：
MOSFET

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