IGBT功耗的定义是什么？

IGBT的功耗在其数据表中指定为集电极功耗（P_C）。

集电极功耗（P_C）是指IGBT可以连续消耗的最大允许功耗，用以下等式表示：

集电极功耗（P_C）=允许的温升（T_j(最大值 – 25°C）/热阻（R_th）

数据表中显示了集电极功耗和热阻。其保证条件均针对单个IGBT。规定了集电极功耗的散热条件，并规定了热阻的两个温差位置。

表（a）中，在无任何散热片的自然空气冷却条件下规定的P_C为2W，而在具有无限大导热系数的冷却条件下规定的P_C为40W。在表（b）中，62.5°C/W的R_th(j-a)是指在自然空气冷却条件下的结到环境的热阻，而R_th(j-c)是结到外壳的热阻。为计算实际使用条件下的热阻，必须考虑绝缘材料、散热片和每个元器件的接触热阻。这样计算出的热阻应用于使用上述等式计算集电极功耗。

绝对最大额定值（注）（T_a＝25℃，除非另有规定）

热特性