MOSFET的数据表:电气特性

<热特性>
用于计算结温

热特性

<电气特性>

  • 栅极泄漏电流(IGSS
    从栅极到源极的截断电流
  • 漏极截止电流(IDSS
    从漏极到源极的截断电流
  • 漏极-源极击穿电压(V(BR)DSS
    漏极-源极击穿电压
    栅极和源极短路,以免形成通道
  • 栅极阈值电压(Vth
    能够发送指定漏极电流的栅极-源极电压
  • 漏极-源极导通电阻(RDS(ON)
    它对应于双极晶体管的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))电压降用指定条件下的电阻表示。它具有正温度系数。
  • 正向转移导纳(|Yfs|)
    输出电流的变化与栅极输入电压的变化之比。其单位是“S:西门子”,与[A]/[V]相同。

 

电气特性

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

相关信息

在新窗口打开