MOSFET的数据表：电气特性
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＜热特性＞
用于计算结温
＜电气特性＞
- 栅极泄漏电流（IGSS）
从栅极到源极的截断电流 - 漏极截止电流（IDSS）
从漏极到源极的截断电流 - 漏极-源极击穿电压（V(BR)DSS）
漏极-源极击穿电压
栅极和源极短路，以免形成通道 - 栅极阈值电压（Vth）
能够发送指定漏极电流的栅极-源极电压 - 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）
它对应于双极晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）电压降用指定条件下的电阻表示。它具有正温度系数。 - 正向转移导纳（|Yfs|）
输出电流的变化与栅极输入电压的变化之比。其单位是“S：西门子”，与[A]／[V]相同。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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