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东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET

 2018年03月23日
东芝电子元件及存储装置株式会社

SSM6N813R

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”,该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。.

100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用,高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造,使用 TSOP6F封装,具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外,TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。

应用场合

  • 汽车LED前照灯驱动器

特点

  • 小型封装
  • 高静电保护等级
  • 低RDS(ON)

主要规格

(@Ta=25℃)

项目
(Ta=25℃)
SSM6N813R
绝对最大额定值 漏源极电压
VDSS (V)
100
栅源极电压
VGSS (V)
±20
漏极电流
ID (A)
3.5
电气特性 漏源极导通电阻
RDS(ON) 最大值 (mΩ)
VGS=10V 112
VGS=4.5V  154
输入电容
Ciss 典型值 (pF)
242
封装 TSOP6F 2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

Marking (Top view) / Equivalent Circuit

欲了解更多关于东芝最新小型低导通电阻MOSFET的信息,请访问:

https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/small-mosfet.html

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