东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET
2018年03月23日
东芝电子元件及存储装置株式会社
东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。.
100V的最大漏源极电压（VDSS）可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。
应用场合
- 汽车LED前照灯驱动器
特点
- 小型封装
- 高静电保护等级
- 低RDS（ON）
主要规格
（@Ta=25℃）
| 项目 （Ta=25℃） |
SSM6N813R | ||
|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏源极电压 VDSS （V） |
100 | |
| 栅源极电压 VGSS （V） |
±20 | ||
| 漏极电流 ID （A） |
3.5 | ||
| 电气特性 | 漏源极导通电阻 RDS（ON） 最大值 （mΩ） |
VGS=10V | 112 |
| VGS=4.5V | 154 | ||
| 输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
242 | ||
| 封装 | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm；t=0.8mm | |
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