MOSFET体二极管有哪些特点？

体二极管是由于MOSFET结构而在源极和漏极之间形成的寄生二极管。数据表中描述了以下特性。

  • 反向漏极电流（连续）／反向漏极电流（脉冲）IDR／IDRP：MOSFET体二极管正向电流是允许的最大值。
  • 正向电压（二极管）：正向电流施加到VDSF体二极管时的漏源电压。
  • 反向恢复时间trr
  • 反向恢复电荷Qrr
  • 反向恢复峰值电流Irr： 在规定的测量条件下，体二极管执行反向恢复操作时，反向恢复电流消失所需要的时间（trr）和电荷 (Qrr)。此时的峰值电流为Irr。

数据表说明

特性 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
二极管正向电压 VDSF IDR＝30.8A，VGS＝0V - - -1.7 V
反向恢复时间 trr IDR＝15.4A，VGS＝0V
-dIDR/dt＝100A/μs		 - 135 220 ns
二极管反向恢复电荷 Qrr - 0.6 - μC
二极管反向恢复峰值电流 Irr - 10 - A
二极管dv/dt能力dv/dt dv/dt IDR＝15.4A，VGS＝0V，VDD＝400V 50 - - V/ns
图1：二极管dv/dt公差dv/dt
图1：二极管dv/dt公差dv/dt
图2：等效电路上的体二极管
图2：等效电路上的体二极管

关于体二极管的说明也请参阅这里。

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