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有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容:TK040Z65Z,TK065N65Z,TK065Z65Z,TK090N65Z,TK090Z65Z,TK090A65Z

产品新闻2019年5月

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了6个DTMOSVI系列650V新一代[1]超结N沟道功率MOSFET产品:“TK040Z65Z”,“TK065N65Z”,“TK065Z65Z”,“TK090N65Z”,“TK090Z65Z”和“TK090A65Z”,以扩大不同封装和导通电阻的阵容,它们用于工业设备的开关电源,比如数据中心和光伏发电机的功率调节器。

新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相比,降低了“漏极源极导通电阻x栅极漏极电荷”(这是一个品质因数)的值约40%,使开关电源的效率提高了约0.36%[2]

东芝将继续扩大其产品阵容,以满足市场趋势,并帮助提高电源效率。

注:
[1] 截止2019年3月,东芝的调查。
[2] 截止2019年3月,东芝的测量值(使用输出功率为2500W的PFC电路,比较新系列中的TK040N65Z与传统系列的TK62N60X)

特点

  • “漏极源极导通电阻x栅极漏极电荷”的值降低约40%[3]以提高开关电源的效率。

注:
[3] 与传统DTMOSIV-H系列比较

应用

工业设备的开关电源

  • 数据中心(服务器电源等)
  • 光伏发电机的功率调节器
  • 不间断电源系统

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 极性 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
最大值
@VGS=10V
(Ω)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
栅极-漏极电荷
Qgd
典型值
(nC)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)
传统系列
器件型号
(DTMOSIV-H)
漏极-源极电压
VDSS
(V)
漏极电流
(DC)
ID
(A)
TK040Z65Z TO-247-4L N沟道 650 57 0.040 105 27 6250 TK62Z60X
TK065N65Z TO-247 650 38 0.065 62 17 3650 TK39N60X
TK065Z65Z TO-247-4L 650 38 0.065 62 17 3650 TK39Z60X
TK090N65Z TO-247 650 30 0.090 47 12 2780 TK31N60X
TK090Z65Z TO-247-4L 650 30 0.090 47 12 2780 TK31Z60X
TK090A65Z TO-220SIS 650 30 0.090 47 12 2780 TK31A60W[4]
TK040N65Z[5] TO-247 650 57 0.040 105 27 6250 TK62N60X

注:
[4] DTMOSIV系列
[5] 现有新一代DTMOSVI系列产品

内部电路

有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容的内部电路图示:TK040Z65Z,TK065N65Z,TK065Z65Z,TK090N65Z,TK090Z65Z,TK090A65Z。

应用电路实例

有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容的应用电路实例说明:TK040Z65Z,TK065N65Z,TK065Z65Z,TK090N65Z,TK090Z65Z,TK090A65Z。

本文件所示的应用电路只供参考用途。
需要进行彻底的评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不表示授予任何工业产权许可。

特性比较[1]

有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容的特性比较说明:TK040Z65Z,TK065N65Z,TK065Z65Z,TK090N65Z,TK090Z65Z,TK090A65Z。

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