有助于提高电源效率的新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”扩大阵容：TK040Z65Z，TK065N65Z，TK065Z65Z，TK090N65Z，TK090Z65Z，TK090A65Z
产品新闻2019年5月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了6个DTMOSVI系列650V新一代[1]超结N沟道功率MOSFET产品：“TK040Z65Z”,“TK065N65Z”，“TK065Z65Z”，“TK090N65Z”，“TK090Z65Z”和“TK090A65Z”，以扩大不同封装和导通电阻的阵容，它们用于工业设备的开关电源，比如数据中心和光伏发电机的功率调节器。
新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相比，降低了“漏极源极导通电阻x栅极漏极电荷”（这是一个品质因数）的值约40%，使开关电源的效率提高了约0.36%[2]。
东芝将继续扩大其产品阵容，以满足市场趋势，并帮助提高电源效率。
注：
[1] 截止2019年3月，东芝的调查。
[2] 截止2019年3月，东芝的测量值（使用输出功率为2500W的PFC电路，比较新系列中的TK040N65Z与传统系列的TK62N60X）
特点
- “漏极源极导通电阻x栅极漏极电荷”的值降低约40%[3]以提高开关电源的效率。
注：
[3] 与传统DTMOSIV-H系列比较
应用
工业设备的开关电源
- 数据中心（服务器电源等）
- 光伏发电机的功率调节器
- 不间断电源系统
产品规格
(@Ta=25 °C)
| 器件型号 | 封装 | 极性 | 最大绝对额定值 | 漏极-源极导通电阻 RDS（ON） 最大值 @VGS＝10V （Ω） |
总栅极电荷 Qg 典型值 （nC） |
栅极-漏极电荷 Qgd 典型值 （nC） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
传统系列 器件型号 （DTMOSIV-H） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
||||||||
| TK040Z65Z | TO-247-4L | N沟道 | 650 | 57 | 0.040 | 105 | 27 | 6250 | TK62Z60X |
| TK065N65Z | TO-247 | 650 | 38 | 0.065 | 62 | 17 | 3650 | TK39N60X | |
| TK065Z65Z | TO-247-4L | 650 | 38 | 0.065 | 62 | 17 | 3650 | TK39Z60X | |
| TK090N65Z | TO-247 | 650 | 30 | 0.090 | 47 | 12 | 2780 | TK31N60X | |
| TK090Z65Z | TO-247-4L | 650 | 30 | 0.090 | 47 | 12 | 2780 | TK31Z60X | |
| TK090A65Z | TO-220SIS | 650 | 30 | 0.090 | 47 | 12 | 2780 | TK31A60W[4] | |
| TK040N65Z[5] | TO-247 | 650 | 57 | 0.040 | 105 | 27 | 6250 | TK62N60X | |
注：
[4] DTMOSIV系列
[5] 现有新一代DTMOSVI系列产品
内部电路
应用电路示例
本文件所示的应用电路只供参考用途。
需要进行彻底的评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不表示授予任何工业产权许可。
特性比较[1]
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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