东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能（PV）功率调节器、不间断电源系统（UPS）和其他工业应用。

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持续漏极电流（ID）高达57A，脉冲电流（IDP）高达228A的650V器件该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻R_DS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。.

关键性能指标／品质因数（FoM） – R_DS(ON) x Q_gd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%^[1]。  

该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。

为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。  

该款新器件的批量生产和出货即日启动。