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东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

2018年08月20日

东芝电子元件及存储装置株式会社

- 新器件进一步提高电源效率

TK040N65Z

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持续漏极电流(ID)高达57A,脉冲电流(IDP)高达228A的650V器件该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。.

关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。  

该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。

为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。  

该款新器件的批量生产和出货即日启动。

应用场合

  •  数据中心(服务器电源等)
  • 光伏发电机功率调节器
  • 不间断电源系统

特点

  •  RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率  

主要规格

(@Ta=25℃)

产品型号 TK040N65Z
封装 TO-247
绝对最大额定值
漏源极电压VDSS (V) 650
漏极电流(直流)ID(A) 57
漏源极导通电阻RDS(ON)最大值 @VGS=10 V (Ω) 0.040
总栅极电荷Qg典型值(nC) 105
栅漏电荷Qgd典型值(nC) 27
输入电容Ciss典型值 (pF) 6250
上一代系列(DTMOS IV-H)产品型号
TK62N60X
库存查询&购买
Stock Check & Purchase

注:

[1] 截至2018年6月,东芝测量值(2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW)。

有关东芝400-900V MOSFET产品阵容的更多信息,请访问以下链接:

400V-900V MOSFETs

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