2017年09月28日
东芝公司
东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出 “TCK401G”(高电平有效[1])和 “TCK402G”(低电平有效[2])N沟道MOSFET驱动器,该产品支持最高可达28V的输入电压,因此适合于快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的批量发货即日启动。
新的TCK401G和TCK402G具备多种内置保护功能,包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能,但依然采用业界领先的WCSP6E小型封装,尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm(典型值)[3]。
可利用一个配有外部N沟道MOSFET的驱动器实现高效率电源电路,其中该MOSFET具备适合于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如,新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合于移动和消费应用,因为其可在较小空间内构建100W级电源电路。
项目 (Ta=25℃) |
TCK401G (高电平有效) |
TCK402G (低电平有效) |
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绝对最大额定值 | ||||
输入电压VIN (V) | 40 | |||
电气特性 | ||||
输入工作电压VIN_opr(V) | 2.7-28 | |||
输入静态电流IQ(ON) 典型值(μA) @ VIN=5 V |
121 | |||
栅极驱动电压 VGS 典型值(V) |
VIN = 3 V | 4 | ||
VIN = 5 V | 6.5 | |||
VIN = 9 V | 6.5 | |||
12V≦VIN≦28V | 6.5 | |||
VGATE 导通时间 tON典型值(ms) [4] @VIN=5V,VGATE=6V, CGATE=2000pF |
0.58 | |||
VGATE 断路时间 tOFF 典型值(μs) [4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF |
16.6 |
注:
[1] 当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET断路。
[2] 当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET断路。
[3] 一种N沟道MOSFET驱动IC,截至2017年9月27日。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。
[4] 自VCT达到VIH值一半之时起,VGATE达到规定值所耗时间。
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