东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET

2018年01月29日
东芝电子元件及存储装置株式会社

SSM6N357R
SSM6N357R

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等感性负载。批量发货即日启动。

SSM6N357R集成有下拉电阻、串联电阻和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品是二合一的封装产品，与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单个封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。

SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。

应用场合

  • 汽车应用的继电器和螺线管控制
  • 工业应用的继电器和螺线管控制
  • 办公设备离合器控制

特点

  • 节省电路板空间且元器件数量减少（实现了下拉电阻、串联电阻和稳压二极管的集成。）
  • 3.0V的低工作电压
  • 二合一封装
  • 通过AEC-Q101认证

主要规格

（@Ta=25℃）

项目 特性
绝对最大额定值 漏源极电压
VDSS (V)		 60
栅源极电压
VGSS (V)		 ±12
漏极电流
ID (A)		 0.65
电气特性 漏源极导通电阻
RDS(ON) 最大值(mΩ)		 |VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
栅极总电荷
Qg 典型值(nC)		 1.5
输入电容
Ciss 典型值(pF)		 43
封装 TSOP6F 2.9mm×2.8mm;
t=0.8mm

等效电路

等效电路
等效电路
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