联系我们
半导体
存储产品
公司信息
公司信息首页

型号搜索

交叉搜索

请输入3个以上字符

About information presented in this cross reference

The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.

关键词搜索

参数搜索

库存查询与购买

请输入3个以上字符

公司信息

产品

有助于降低家用电器功耗和辐射的分立IGBT：GT30J110SRA

产品新闻2020年11月

The package photograph of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emissions of home appliances : GT30J110SRA.

东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）新推出了一款1100V的分立IGBT——GT30J110SRA，该产品适用于IH电饭煲和使用AC 100V输入电压谐振电路的微波炉等家用电器。

全新的GT30J110SRA产品的特性得到了较大改善。与现有产品【1】相比，其损耗、短路电流抑制、电磁辐射都更低，安全工作区域也更为宽泛。

通过降低关断开关和二极管传导损耗，能实现更低的损耗。通过降低辐射噪声，可以使用比过去更为小巧的栅极驱动电阻。典型开通时间【2】为0.2μs，比现有产品【1】减少约20％，典型关断时间【2】为0.33μs，比现有产品减少约29％。二极管的典型正向电压【3】为1.40V，降低了约33％，极大的降低设备功耗。

通过降低饱和电流来实现短路电流抑制，这样可以降低设备启动期间谐振电容器的短路电流。新品的典型饱和电流峰值为200A，比现有产品【1】降低了约40％，在60A或更低的情况下，其集电极-发射极饱和电压等于现有产品【1】。

与现有产品【1】相比，它的安全使用区域高压侧扩大了，使产品不易损坏。

通过优化芯片结构，实现了较低的电磁辐射【4】。该芯片在电磁辐射水平最强的30MHz左右时，辐射发射量仅为35.8dBμV/m，比现有产品降低约10dBμV/m【5】。

[1] 现有产品GT60PR21
[2] @VCE＝600V，VIC＝60A，VGE＝＋15V，Ta＝25°C
[3] @IF＝30A，VGE＝0V，Ta＝25°C
[4] 东芝的测定值
[5] 现有产品GT40QR21

特性

  • 第6.5代
  • RC结构内置二极管
  • 低二极管正向电压：VF＝1.40V（典型值）@IF＝30A，Ta＝25°C

应用

家用电器的电压谐振

  • IH电饭煲
  • IH电磁炉
  • 微波炉，等等

产品规格

（除非另有规定，@Ta＝25℃）

器件型号 封装 绝对最大额定值 集电极-
发射极
饱和电压
VCE（sat）典型值（V）		 二极管
正向电压
VF典型值（V）		 开关时间
（下降时间）
tf典型值（µs）		 结壳热阻
Rth（j-c）最大值（°C/W）
集电极
-发射极
电压
VCES（V）		 集电极电流（DC）IC（A） 结温
Tj（°C）
@Tc＝25°C
 @Tc＝100°C
 @IC＝30A，
VGE＝15V		 @IF＝30A，
VGE＝0V
GT30J110SRA TO-3P（N） 1100 60 30 175 1.60 1.40 0.17 0.48

内部电路

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

应用电路示例

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行彻底的评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。

特性曲线

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 新品二极管正向电压【3】在25°C和30A时的典型值为1.40V，比现有产品【1】降低约33％，因此有助于降低设备的功耗。
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 与现有产品相比，新品已经改变了芯片设计，以减少启动期间因电压谐振产生的电容器短路电流【1】。当TC＝25°C且VGE ＝15V时，集电极电流被抑制到150A至200A。在60A或更低的情况下，其集电极-发射极饱和电压等于现有产品【1】的电压。
  • 与现有产品相比，新产品性能更平衡，且具有较大的栅极电阻范围【1】。
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 与现有同类产品【5】相比，新产品在30MHz左右的电磁辐射强度最高，辐射水平降低了约10dBμV/m。

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。

在新窗口打开
To Top