有助于降低家用电器功耗和辐射的分立IGBT：GT30J110SRA
产品新闻2020年11月
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）新推出了一款1100V的分立IGBT——GT30J110SRA，该产品适用于IH电饭煲和使用AC 100V输入电压谐振电路的微波炉等家用电器。
全新的GT30J110SRA产品的特性得到了较大改善。与现有产品【1】相比，其损耗、短路电流抑制、电磁辐射都更低，安全工作区域也更为宽泛。
通过降低关断开关和二极管传导损耗，能实现更低的损耗。通过降低辐射噪声，可以使用比过去更为小巧的栅极驱动电阻。典型开通时间【2】为0.2μs，比现有产品【1】减少约20％，典型关断时间【2】为0.33μs，比现有产品减少约29％。二极管的典型正向电压【3】为1.40V，降低了约33％，极大的降低设备功耗。
通过降低饱和电流来实现短路电流抑制，这样可以降低设备启动期间谐振电容器的短路电流。新品的典型饱和电流峰值为200A，比现有产品【1】降低了约40％，在60A或更低的情况下，其集电极-发射极饱和电压等于现有产品【1】。
与现有产品【1】相比，它的安全使用区域高压侧扩大了，使产品不易损坏。
通过优化芯片结构，实现了较低的电磁辐射【4】。该芯片在电磁辐射水平最强的30MHz左右时，辐射发射量仅为35.8dBμV/m，比现有产品降低约10dBμV/m【5】。
[1] 现有产品GT60PR21
[2] @VCE＝600V，VIC＝60A，VGE＝＋15V，Ta＝25°C
[3] @IF＝30A，VGE＝0V，Ta＝25°C
[4] 东芝的测定值
[5] 现有产品GT40QR21
特性
- 第6.5代
- RC结构内置二极管
- 低二极管正向电压：VF＝1.40V（典型值）@IF＝30A，Ta＝25°C
应用
家用电器的电压谐振
- IH电饭煲
- IH电磁炉
- 微波炉，等等
产品规格
（除非另有规定，@Ta＝25℃）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 集电极- 发射极 饱和电压 VCE（sat）典型值（V） |
二极管 正向电压 VF典型值（V） |
开关时间 （下降时间） tf典型值（µs） |
结壳热阻 Rth（j-c）最大值（°C/W） |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 -发射极 电压 VCES（V） |
集电极电流（DC）IC（A） | 结温 Tj（°C） |
|||||||
| @Tc＝25°C |
@Tc＝100°C |
@IC＝30A， VGE＝15V |
@IF＝30A， VGE＝0V |
||||||
| GT30J110SRA | TO-3P（N） | 1100 | 60 | 30 | 175 | 1.60 | 1.40 | 0.17 | 0.48 |
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行彻底的评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。
特性曲线
- 新品二极管正向电压【3】在25°C和30A时的典型值为1.40V，比现有产品【1】降低约33％，因此有助于降低设备的功耗。
- 与现有产品相比，新品已经改变了芯片设计，以减少启动期间因电压谐振产生的电容器短路电流【1】。当TC＝25°C且VGE ＝15V时，集电极电流被抑制到150A至200A。在60A或更低的情况下，其集电极-发射极饱和电压等于现有产品【1】的电压。
- 与现有产品相比，新产品性能更平衡，且具有较大的栅极电阻范围【1】。
- 与现有同类产品【5】相比，新产品在30MHz左右的电磁辐射强度最高，辐射水平降低了约10dBμV/m。
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