计算工作电流和功耗
计算CMOS逻辑IC的功耗
根据以下两项计算功耗：
- 静态供电电流
- 动态供电电流
功率的计算是将电流乘以施加在IC上的电压。
静态功耗：PS
当CMOS逻辑处于静态（即当其输入电压几乎保持不变）时，除了流过内部反向偏置pn结的微小漏电流（称为静态供电电流，ICC）以外，几乎没有电流流动。静态功耗是将ICC乘以供电电压。
PS＝VCC×ICC
VCC：施加在逻辑IC上的电压
ICC：如数据表所示的静态供电电流
动态功耗：PL＋PPD
动态供电电流是指当输入在高电平和低电平之间转换时流过CMOS逻辑IC的电流。该电流在电容充放电过程中流动。必须同时考虑寄生电容（内部等效电容）和负载电容。
动态功耗是将动态供电电流乘以施加在p沟道或n沟道MOSFET上的电压。
为方便起见，以下计算将假定此电压等于VCC，此时动态供电电流最大。
负载电容（CL）引起的动态功耗：PL
PL指外部负载充电和放电时的功耗，如右图所示。
存储在负载电容上的电荷量（QL）计算如下：
QL＝CL*VCC
CL：负载电容
设输出信号频率为fOUT（＝1/TOUT）。则平均电流（IL）表示为：
IL＝QL／T＝CL * VCC * fOUT
因此，动态功耗（PL）为：
PL＝VCC * IL＝CL * VCC^2 * fOUT
如果一个IC有多个输出，其动态功耗可计算如下：
PL＝VCC^2 * Σ（CLn* fOUTn）
内部等效电容引起的动态功耗（CPD）：PPD
CMOS逻辑IC具有各种寄生电容，如右图所示。这些电容可等效地表示为CPD。（实际上，CPD的基于零负载条件下相对较高频率（1MHz）时的功耗计算得出的。）
PPD是IC的等效电容消耗的功率，可按与PL相同的方式考虑。
但请注意，PPD的计算是基于输入频率（fIN）：
PPD＝VCC * IL＝CPD * VCC^2 * fIN
总功耗（PTTL）可以表示为静态功耗（PS）和动态功耗（PL+PPD）之和：
PTTL＝PS＋PL＋PPD
CMOS逻辑IC的使用注意事项
