计算工作电流和功耗

计算CMOS逻辑IC的功耗

负载电容（C_L）引起的动态功耗：P_L
P_L指外部负载充电和放电时的功耗，如右图所示。
存储在负载电容上的电荷量（Q_L）计算如下：
Q_L＝C_L*V_CC
C_L：负载电容
设输出信号频率为f_OUT（＝1/T_OUT）。则平均电流（I_L）表示为：
I_L＝Q_L／T＝C_L * V_CC * f_OUT
因此，动态功耗（P_L）为：
P_L＝V_CC * I_L＝C_L * V_CC^2 * f_OUT
如果一个IC有多个输出，其动态功耗可计算如下：
P_L＝V_CC^2 * Σ（C_Ln* f_OUTn）

内部等效电容引起的动态功耗（C_PD）：P_PD
CMOS逻辑IC具有各种寄生电容，如右图所示。这些电容可等效地表示为C_PD。（实际上，C_PD的基于零负载条件下相对较高频率（1MHz）时的功耗计算得出的。）
P_PD是IC的等效电容消耗的功率，可按与P_L相同的方式考虑。
但请注意，P_PD的计算是基于输入频率（f_IN）：
P_PD＝V_CC * I_L＝C_PD * V_CC^2 * f_IN

总功耗（P_TTL）可以表示为静态功耗（P_S）和动态功耗（P_L+P_PD）之和：
P_TTL＝P_S＋P_L＋P_PD

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