如何计算通用逻辑IC的功耗？

可将上述电流乘以施加至IC上的电压以得出功耗。

静态功耗：P_S
尽管通用逻辑IC为静态（即其输入信号保持不变），除了流经内部反向偏置pn结的微小漏电流（称为静态供电电流，I_CC）外，几乎无电流流过。静态功耗为I_CC乘以供电电压。

P_S＝V_CC×I_CC
V_CC：施加至逻辑IC的电压
I_CC：数据表中显示的静态供电电流

动态功耗
动态供电电流是在通用逻辑中流动的电流，而其输入在高与低之间转换。此电流在电容充电和放电期间流动。需同时考虑寄生电容（内部等效电容）和负载电容。将此电流乘以施加至P沟道或N沟道MOSFET的电压，即可得出动态功耗。这里为简单起见，利用最大电流流过时的V_CC值计算功率。

由于负载电容（C_L）产生的动态功耗：P_L
P_L功耗在外部负载充电和放电时产生，如图1所示。
负载电容上存储的电荷量（Q）按下式计算：

Q_L＝C_L×V_CC
C_L：负载电容

假设输出信号频率f_OUT（＝1/T_OUT）。则可用下式表示平均电流（I_L）：

I_L＝QL / T＝C_L * V_CC * f_OUT

因此，动态功耗（P_L）为：

P_L＝V_CC * I_L＝C_L * V_CC^2 * f_OUT

如果一个IC有多个输出，则其动态功耗可按下式计算：

P_L＝V_CC^2 * Σ (C_Ln* f_OUTn)

具有等效内部电容C_PD的动态消耗功率：P_PD

通用逻辑IC具有各种寄生电容，具体如图2所示。这些电容等效地表示为C_PD。（实际上，C_PD是根据零负载条件下相对高频（1MHz）下的功耗计算得出的。）P_PD是IC的等效电容产生的功耗，可按与P_L相同的方式加以考虑。但请注意，P_PD是按输入频率（f_IN）计算得出的：

P_PD＝V_CC * I_L＝C_PD * V_CC^2 * f_IN