eFuse IC是什么?

东芝有两种类型的eFuse IC,即“TCKE712BNL”和“TCKE8xx系列”。它当然有许多保护功能,而且可以调整。但是,在一个小型10引脚封装中,外围组件基本上只是几个电容和电阻。

注释:“TCKE8xx系列”eFuse IC概述

TCKE8xx系列eFuse IC最大规格可范围可达18V/5A,并具有过流保护、短路保护、过压钳位、浪涌电流抑制和欠压锁定(UVLO)、热关断以及反向电流阻断功能(可选)。过流保护的电流限制的大小可通过一个外部电阻进行设置。

特性
高输入电压 18.0V(最大值)
高输出电流 5.0A(直流)
低导通电阻 28mΩ(典型值)
可调过流限制 5.0A(最大值)
内置固定过压钳位电路
* 部分产品不具有过电压钳
5V电源回路=6.04V(典型值)
12V电源回路=15.1V(典型值)
  • 内置浪涌电流抑制电路
  • 内置可调欠压锁定电路
  • 支持反向电流阻断功能
  • 内置热关断电路
  • 内置自动放电功能
  • 恢复操作:有两种(自动重试和锁存)
  • 小型封装
  • 通过IEC62368-1认证
eFuse: TCKE8xx系列外围电路示例
 
 

WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))
 
eFuse:TCKE8xx系列框图
端子 说明
EN/UVLO 该引脚有两个功能。
一个功能是使能内部MOSFET和EFT端子的输出电压。 另一个是欠压锁定(UVLO)功能,通过一个外部电阻调节关断电压。
ILIM 该引脚可调整过流限制值。
它支持通过ILIM引脚和GND之间的电阻来调整过流限制值。
dV/dT 该引脚调整启动时间。
启动时间根据dV/dT引脚和GND之间的电容来调整。
EFET 这是反向电流阻断N沟道MOSFET的栅极电压输出端子。
在不使用反向电流阻断功能时,该引脚应保持断开。
VIN 电源输入端子
GND 接地
VOUT 输出端子

TCKE8xx系列包括钳位电压和自恢复操作类型选项。钳位电压根据系统电压设置,用于防止过高的电压施加到负载上。有的器件例如5V电源回路的钳位电压为6.04V(典型值),有的器件例如12V电源回路的钳位电压为15.1V(典型值),还有的器件没有过压钳位的功能。

恢复操作有两种。自动重试型自动尝试恢复,直到故障得到解决,而锁存型在热关断操作期间被锁存,待故障得到解决之后,重新施加外部使能控制信号给EN引脚即可恢复。

器件型号 数据表 过压钳位 VEN/UVLO操作
恢复操作类型
实际产品的丝印显示 封装
TCKE800NA PDF(1.6MB) N/A 高电平时有效 自动重试型 800NA
WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))
TCKE800NL PDF(1.6MB) N/A 锁存型 800NL
TCKE805NA PDF(1.6MB) 6.04V(典型值) 自动重试型 805NA
TCKE805NL PDF(1.6MB) 6.04V(典型值)
锁存型 805NL
TCKE812NA PDF(1.6MB) 15.1V(典型值)
自动重试型 812NA
TCKE812NL PDF(1.6MB) 15.1V(典型值)
锁存型 812NL

eFuse IC有哪些特点?

但在考虑IC时,数据表的第一页很重要。物理尺寸、最大额定值和工作条件等都需要彻底检查。现在我们来解释一下保护功能,这是eFuse IC的关键特性。这部分的说明一般从数据表的中间部分开始。

注释:TCKE8xx系列的保护功能

TCKE8xx系列eFuse IC具有以下保护功能。这些功能都是用于保护IC本身及其后级电路(负载电路/器件),以减少损坏的风险。过流保护、短路保护等功能用于检测负载电路/器件的失效或损坏,防止冒烟、火灾或其它形式的损坏

图:TCKE8xx系列的主要保护功能

过流保护功能

过流保护功能对输出电流IOUT进行钳位,使其当连接到VOUT的负载出现异常或发生短路而导致输出电流IOUT增加时,不超过设定的限制值,防止电源供电瞬间中断,同时防止IC本身和负载电路/器件性能下降或损坏的风险。此外,它还具有短路保护功能(稍后描述),当IOUT在很短的时间内大幅超过限制电流时,它就会动作。这意味着过流保护功能是双重的。

可通过连接到ILIM引脚的外部电阻RILIM轻松设置过流保护的IOUT的大小并使能它。使用TCKE8xx eFuse IC系列,可在很大的电流值范围(从0.5A到5A)内进行设置。RILIM值可根据公式任意设置,提高了电路设计的自由度。

图:过流保护功能
过流会增加功率损耗,产生热量,从而损坏器件。因此,过流限制、过流关断和过热限制这三方面保护提高了保护的确定性。

短路保护功能

当连接到TCKE8xx系列eFuse IC的输出VOUT的负载,或者电源IC发生故障并发生短路时,短路保护功能可以防止过流。eFuse IC检测到当输出电流IOUT在很短的时间内超过ILIM引脚的设定输出电流限制的1.6倍时。它将立即关闭内部MOSFET,以切断VIN和VOUT,使得IOUT输出几乎为零。从短路导致的过流开始到切断,切断时间只有150 ns(典型值),非常地快。切断时间越短,对负载器件的损害就越小。快速短路保护特性是衡量电子熔断器性能的一个重要指标。基于东芝先进的短路保护技术,使得TCKE8xx系列eFuse IC具有快速保护的性能。

短路保护波形
当输出电流超过设定限制值时,过流保护就会工作,并继续允许电流在该限制值下流动。而短路保护基本上是在输出短路时使输入电源能提供的最大瞬间电流,所以它在检测到短路后立即切断,使输出电流几乎为零。它们在动作方式上是有很大的区别的。

过压钳位功能

过压钳位功能是将VOUT保持在设定限制值内,并防止过电压作用于后级负载电路/器件。TCKE8系列eFuse IC的输入电压VIN可高达18.0V。但是,有些产品配备了过压钳位电路,以保护负载器件在5V/12V电源回路上使用时不受输入过电压影响(并非所有产品)。适用于钳位到6.04V/15.1V(典型值)并按钳位电压输出的产品。当过压钳位功能使能后,eFuse IC的功耗会产生热量,因此热关断功能的工作方式与过流保护和短路保护相同。

Figure: Overvoltage clamp function

与过高输入电压相反,VIN可能低于eFuse IC的工作电压。
在这种情况下,eFuse IC和后级电路上的IC可能会出现故障,所以还添加了欠压保护的功能(UVLO:欠压锁定)。基于UVLO功能开启的情况下,除非在TCKE8xx系列启动时输入电压VIN为4.15 V(典型值)或更高,否则它将不会工作,如果启动后,VIN变得低于3.95 V(典型值),它也会停止工作。UVLO阈值可通过在EN/UVLO引脚上连接的外部电阻进行调整/设置。

有很多情况下,输入电源会产生很大的波动。例如,如果输入电压过高,会有几乎相等的电压通过eFuse IC施加到后级负载器件上,且没有任何保护。如果负载器件损坏并出现过流,此时再限制或切断过流已经为时已晚。因此,过电钳位功能可以保护eFuse IC本身和后级负载器件。

浪涌电流抑制功能(压摆率控制功能)

当eFuse IC内部的MOSFET接通并且输入和输出导通时,充电电流立即流向输出端的电容器。这被称为浪涌电流,如果浪涌电流过大,过流保护电路可能发生错误动作——导致不能启动或输出电压过于冲高。抑制浪涌电流的功能可控制输出电压上升(压摆率),以限制到电容器的浪涌电流,从而防止这些问题的出现。对于TCKE8xx系列eFuse IC,在dV/dT引脚处放置一个外部电容器,可控制输出电压压摆率,因此可以根据电路的要求优化启动。外部电容器的电容值可以轻松地通过数据表中的公式或图表计算出来。

图:抑制浪涌电流的功能(压摆率控制功能)

在启动波形中,VOUT的上升压摆率得到了控制,逐渐上升,所以到输出端电容器的充电电流也逐渐增加,这说明浪涌电流得到了充分的抑制。

电源IC有一个叫做软启动的功能,用途和控制方法是基本相同的。通过缓慢提高输出电压,负载侧的电容器逐渐充电,因此,不会出现瞬间有大电流流过的现象。

热关断功能

当eFuse IC的结温(Tj)超过设定值时,热关断功能会关断内置MOSFET。关闭eFuse IC以阻止输出,从而保护eFuse IC本身。东芝的产品可通过暂时中止输出来降低Tj,并在低于阈值并有所滞后后再恢复输出,还有一种产品可在关断输出之后锁存。图14显示了TCKE8xx系列的一个示例。

 

图:热关断功能操作
如果没有滞后,当温度接近阈值时,就有可能进入振荡状态,即反复导通再关断(反之亦然)。这对eFuse IC和后级电路/负载来说是不利的,所以它是一种通过区分导通和关断的阈值以防止不稳定行为的方法。这种方法不仅用于温度,而且还用于电压和电流比较电路。过流或过电压损坏IC的原因是,功率损耗产生大量热量,导致燃烧或熔化。还有,如果环境温度很高,即使电流和电压都在额定范围内,也可能会超过结温Tj。考虑到这些情况,将电流和电压检测保护与温度保护相结合,可以提供更可靠的整体保护。

反向电流阻断功能

eFuse IC停止工作期间(VIN电源关断、禁用状态等),当输出侧的电压高于输入侧的电压时,反向电流阻断功能可防止电流通过内置MOSFET的寄生(体)二极管从输出侧回流到输入侧。

对于TCKE8xx系列,该功能是可选的,并且需要一个外部MOSFET。EFET引脚则可用于控制反向电流阻断MOSFET。因此,你要做的不过就是把MOSFET放到输出线上(如原理图所示)。关于反向电流阻断MOSFET的推荐产品和规格,请参考数据表。

具有反向电流阻断功能的eFuse IC外围电路示例
TCKE712BNL等eFuse IC具有一个内置的MOSFET,用于反向电流阻断。但是,如果没有反向电流的条件,或者不存在反向电流问题,就不需要该功能。它的另一个优点是降低了VOUT的导通电阻,从而减少功率损耗,因为VOUT不通过反向电流保护MOSFET。TCKE8xx系列有一个EFET引脚,只需增加一个MOSFET就能轻松地实现反向电流阻断功能。如果没有该功能,就需要改用其他内置反向电流阻断功能的IC,或者使用单独的MOSFET控制电路。所以,这个功能是非常有用的。

更多详细信息,请参阅产品页面。

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