电阻有哪些变化？

如数据表中所示，串联偏置电阻（R₁）的值与数据表中的典型值相差±30％。未单独指定基极-发射极电阻（R₂）的值，但指定了电阻比（R₁／R₂）。R1／R2与典型值相比有±10％的变化。
偏置电阻的值取决于温度，如图2所示。电阻以大约0.2％／°C的速率降低。

关于电阻R₁：
R1将施加至BRT的B端子的电压转换为电流。双极晶体管是一种电流驱动式器件。当双极晶体管被电压驱动时，集电极电流相对于电压的变化率变大，使得难以控制集电极电流。BRT中的R1使控制集电极电流相对容易一些。当BRT导通时，内部晶体管将在hFE (＝I_C／I_b)处于10-20范围内的饱和区内工作，具体取决于输入电压。因此，大约几毫安的相对大电流（I_B）流经R₁。由于R₁的允许功耗为1/8W，因此R₁值较高的BRT的最大输入电压（V_I）由R1值确定。
（详见常见问题（FAQ）“偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少”。）

关于电阻比（R₁／R₂）
输入电压（导通）规格（V_I(ON)）取决于R₁／R₂。由于基极电流（I_B）不会在晶体管导通之前立即流动，因此施加至B端子（V_I）的电压会被R₁和R₂分压。将内部晶体管的导通阈值电压设为V_be。然后，   
V_be＝R₂ /（R₁＋R₂）* V_I(ON)
如果其包含相同的晶体管，则BRT的V_be不受R₁和R₂值的影响。
V_I(ON)＝V_be＊（R₁＋R₂）/ R2＝V_be＊（ 1＋R₁／R₂）
因此，V_I(ON)取决于电阻比（R₁／R₂）。