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用于车载设备的小型MOSFET产品线中新增了40 V产品,其低导通电阻有助于降低功耗

产品新闻2022年3月

用于车载设备的小型MOSFET产品线中新增了40 V产品,其低导通电阻有助于降低功耗:SSM6K804R

东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”) 推出了用于车载设备的40V N沟道MOSFET“SSM6K804R”,以扩充产品线。

新产品SSM6K804R采用新工艺制造,实现业界领先[1] 低导通电阻,4.5V栅源电压条件下,最大导通电阻为18mΩ。此外,扁平引线封装提高了芯片安装能力,降低热阻。产品采用小型TSOP6F封装,额定功耗仅为1.5W[2],有助于降低设备能耗。

与东芝同等额定功耗的SOP-8封装产品相比[3],TSOP6F封装产品安装面积约减小70%,有助于减小设备尺寸。此外,产品符合AEC-Q101标准,适用于车载DC-DC转换器等各种应用。

注:

[1]与TSOP6F级封装,具有相同最大额定值的产品进行比较,根据东芝调查(截至2022年2月)
[2]安装在环氧树脂板上(FR4,25.4mm×25.4mm×1.6mm,铜焊盘:645mm2
[3]TP89R103NL等

应用

  • 车载设备(反接保护、负载开关、DC-DC转换器等)

特性

  • 业界领先[1]低导通电阻降低能耗:
    RDS(ON)=18mΩ(最大值)@VGS=4.5V
  • TSOP6F封装降低了饱和热阻,额定功耗仅为1.5W
  • 通过AEC-Q101认证

主要规格

(@Ta=25°C)

器件型号

极性

封装

绝对最大额定值

电气特性

名称

尺寸典型值

(mm)

漏极-源极电压

VDSS

(V)

栅极-源极电压

VGSS

(V)

漏极电流

(直流)

ID

(A)

功耗

PD

(W)

漏极-源极

导通电阻

RDS(ON)

最大值

(mΩ)

输入电容

Ciss

典型值

(pF)

栅极总荷电量

Qg

典型值

(nC)

@VGS

4.5V

SSM6K804R

N沟道

TSOP6F

2.9×2.8×0.8

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K818R[4]

30

15

12

1130

7.5

SSM6K809R[4]

60

6

51

550

9.3

SSM6K810R[4]

100

3.5

92

430

3.2

SSM6K819R[4]

100

10

36.4

1110

8.5


[4]现有产品

内部电路

内部电路

应用电路示例

应用电路示例

注:
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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