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用于车载设备的小型MOSFET产品线中新增了40 V产品，其低导通电阻有助于降低功耗
产品新闻2022年3月
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”) 推出了用于车载设备的40V N沟道MOSFET“SSM6K804R”，以扩充产品线。
新产品SSM6K804R采用新工艺制造，实现业界领先[1] 低导通电阻，4.5V栅源电压条件下，最大导通电阻为18mΩ。此外，扁平引线封装提高了芯片安装能力，降低热阻。产品采用小型TSOP6F封装，额定功耗仅为1.5W[2]，有助于降低设备能耗。
与东芝同等额定功耗的SOP-8封装产品相比[3]，TSOP6F封装产品安装面积约减小70%，有助于减小设备尺寸。此外，产品符合AEC-Q101标准，适用于车载DC-DC转换器等各种应用。
注：
[1]与TSOP6F级封装，具有相同最大额定值的产品进行比较，根据东芝调查（截至2022年2月）
[2]安装在环氧树脂板上（FR4，25.4mm×25.4mm×1.6mm，铜焊盘：645mm2）
[3]TP89R103NL等
应用
- 车载设备（反接保护、负载开关、DC-DC转换器等）
特性
- 业界领先[1]低导通电阻降低能耗：
RDS(ON)＝18mΩ（最大值）@VGS＝4.5V - TSOP6F封装降低了饱和热阻，额定功耗仅为1.5W
- 通过AEC-Q101认证
主要规格
（@Ta＝25°C）
器件型号 |
极性 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名称 |
尺寸典型值 （mm） |
漏极-源极电压 VDSS （V） |
栅极-源极电压 VGSS （V） |
漏极电流 （直流） ID （A） |
功耗 PD （W） |
漏极-源极 导通电阻 RDS(ON) 最大值 （mΩ） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
栅极总荷电量 Qg 典型值 （nC） |
||
@VGS＝ 4.5V |
||||||||||
N沟道 |
TSOP6F |
2.9×2.8×0.8 |
40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|
30 |
15 |
12 |
1130 |
7.5 |
||||||
60 |
6 |
51 |
550 |
9.3 |
||||||
100 |
3.5 |
92 |
430 |
3.2 |
||||||
100 |
10 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
||||||
注
[4]现有产品
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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