测量双极结型晶体管（BJT）电气特性的方法是什么？

数据表描述了一个用于测量电气特性（截止电流、电流增益、饱和电压）的测量电路示例。
请参考常见问题（FAQ）（ 双极结型晶体管（BJT）的电气特性） 以了解每项的解释。
这里解释的电气特性在数据表中进行了描述，如表1所示。

各项目的测定方法如下所示。半导体特性在很大程度上受到温度的影响。测量时，不仅要考虑室温引起的波动，还要考虑测量过程中的损耗（电压和电流）。除了在测量时控制室温之外，还要考虑施加电压和电流的时间。为了抑制晶体管的温度上升，推荐使用脉冲测量。

1.集电极截止电流I_CBO: 图1

这是与绝对最大额定值中描述的集电极-基极电压V_CBO相匹配的电气特性。在发射极开路的情况下，施加电压，使基极和集电极之间的pn结反向偏置，然后测量电流。由于施加在集电极和基极之间的电压V_CB是绝对最大额定电压，因此必须注意不要超过规定的电压值。I_CBO是集电极和基极之间的漏电流，因此它会随着温度的变化而波动。

2.发射极截止电流I_EBO：图2

这是与绝对最大额定值中描述的基极-发射极电压V_EBO相匹配的电气特性。在集电极开路的情况下，施加电压，使基极和发射极之间的pn结反向偏置，然后测量电流。由于施加在发射极和基极之间的电压V_EB是绝对最大额定电压，因此必须注意不要超过规定的电压值。I_EBO是发射极和基极之间的漏电流，因此它会随着温度的变化而波动。

3.直流电流增益h_FE：图3

在集电极和发射极之间施加规定的电压V_BE并调节基极与发射极之间的电压V_BE，以获得目标集电极电流 I_C。此时测量基极电流 I_B，并计算以下公式，结果为 h_FE。h_FE＝I_C/I_B
请注意，h_FE受温度的影响。（图4）
如图5所示，由于早期效应，h_FE会发生变化。基极宽度较窄的高频晶体管变化更大。

4.集电极-发射极饱和电压V_CE(sat)：图6

在图6所示的电路中，首先使用电压源V_BE在基极和发射极之间施加大约0.6 V的电压。然后，逐渐增加集电极电流I_C，直到达到规定的电流。接下来，改变基极电压V_BE，直到基极电流I_B达到规定值。当I_B达到规定电流时，测量集电极-发射极电压 V_CE。该电压就是V_CE(sat)。
如果在晶体管关断的情况下施加集电极侧的电流源，可能会产生异常高的电压并破坏晶体管。提前设置电流源的开路电压，使其小于绝对最大额定值中描述的集电极-发射极电压V_CEO。
V_CE(sat) 受温度影响（图 7）。