东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
2024年9月25日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海，2024年9月25日—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。
注：
[1]改进型结势垒肖特基（JBS）结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。
[2]在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。
应用
- 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备UPS的开关电源
特性
- 第3代1200 V SiC SBD
- 业界领先的[2]低正向电压：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低总电容电荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
- 低反向电流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）（VR＝1200 V）
主要规格
（除非另有说明， Ta ＝25 °C）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 样品查看与供货情况 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 重复峰值反向 电压 VRRM （V） |
正向DC电流 IF(DC) （A） |
非重复峰值 正向浪涌 电流 IFSM （A） |
正向电压（脉冲测量） VF （V） |
反向电流 （脉冲测量） IR （μA） |
总电容电荷 QC（nC） |
||||
| 温度 条件 Tc （°C） |
f＝50 Hz （半正弦波，t＝10 ms）， Tc＝25 °C |
IF＝IF(DC) | VR＝1200 V | VR＝800 V， f＝1 MHz | |||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||
| TRS10H120H | TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1.27 | 1.0 | 61 |  |
| TRS15H120H | 15 | 157 | 110 | 1.4 | 89 | |
|||
| TRS20H120H | 20 | 155 | 140 | 2.0 | 109 | |
|||
| TRS30H120H | 30 | 150 | 210 | 2.8 | 162 | |
|||
| TRS40H120H | 40 | 147 | 270 | 3.6 | 220 | |
|||
| TRS10N120HB | TO-247 | 5（每个引脚） 10（双引脚） |
160 | 40（每个引脚） 80（双引脚） |
1.27 （每个引脚） |
0.5 （每个引脚） |
30 （每个引脚） |
|
|
| TRS15N120HB | 7.5（每个引脚） 15（双引脚） |
157 | 55（每个引脚） 110（双引脚） |
0.7 （每个引脚） |
43 （每个引脚） |
|
|||
| TRS20N120HB | 10（每个引脚） 20（双引脚） |
155 | 70（每个引脚） 140（双引脚） |
1.0 （每个引脚） |
57 （每个引脚） |
|
|||
| TRS30N120HB | 15（每个引脚） 30（双引脚） |
150 | 105（每个引脚） 210（双引脚） |
1.4 （每个引脚） |
80 （每个引脚） |
|
|||
| TRS40N120HB | 20（每个引脚） 40（双引脚） |
147 | 135（每个引脚） 270（双引脚） |
1.8 （每个引脚） |
108 （每个引脚） |
|
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TRS10H120H
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