增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管:DF2B5BSL

产品新闻2018年12月

 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管的封装照片:DF2B5BSL。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了标准电容TVS二极管(ESD保护二极管)“DF2B5BSL”,它提高了峰值脉冲电流额定值,从而提高了浪涌保护性能。

新产品的峰值脉冲电流额定值为8A[1],比现有产品[2]增加约45%,提高了符合IEC61000-4-5的雷电冲击防护性能。此外,其静电放电电压额定值为±23kV[3],比现有产品增加约35%[2]。利用提高的浪涌保护性能,这种新产品有助于提高设备的可靠性。

移动设备(比如智能手机和平板电脑)的内部电路集成化程度日益增高,这使得这些设备越来越精致小巧。这些设备中使用的IC在其制造过程中越来越小型化,但IC对ESD和浪涌的耐受性越来越差。为了防止设备因ESD或浪涌而出现故障或损坏,通常使用TVS二极管来保护外部端子(比如电源连接器、音频插孔)或易受ESD影响的IC。

新产品使用小型SL2封装(封装代码:SOD-962)。这使得它在板上的占用空间更小,有助于它用于各种应用。

注:
[1] 根据IEC61000-4-5
[2] 现有产品:DF2B5SL
[3] 根据IEC61000-4-2(接触)

特点

  • 高的峰值脉冲电流额定值[1]:IPP=8A
  • 高的静电放电电压额定值[3]:VESD=±23kV
  • 低钳位电压[4]:VC=9.6V(典型值)@IPP=8A

注:
[4] 基于IEC61000-4-5 8/20μs脉冲

应用

  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 游戏机等

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 最大绝对额定值 峰值反向
工作电压
VRWM
最大值
(V)
反向击穿电压VBR
最小值/最大值
@IBR=1mA
(V)
钳位电压
VC[4]
典型值
@IPP=8A
(V)
动态电阻RDYN[5]
典型值
@IPP1=8A
至IPP2=16A
(Ω)
总电容Ct
典型值
@VR=0V
(pF)
名称 尺寸典型值
(mm)
静电放电电压VESD[3]
(kV)
峰值
脉冲电流
IPP[1]
(A)
DF2B5BSL SL2
(SOD-962)
0.62×0.32×0.3 ±23 8 3.3 3.6/6.5 9.6 0.2 10.5

注:
[5] @TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均窗口:t1=30ns至t2=60ns

内部电路

 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管内部电路图示:DF2B5BSL。

应用电路示例

增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管应用电路实例说明:DF2B5BSL。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

特性曲线

 增加峰值脉冲电流额定值以提高移动设备浪涌保护性能的TVS二极管特性曲线图示:DF2B5BSL。

新产品通过增加IPP,提高了其抵抗浪涌的保护性能。
此外,随着VC的降低,它可以减少后续级对电路的影响。

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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