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东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化

-TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET-

2022年6月7日

东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化

中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能,能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。

新产品具体包括:用于24V电源线的“TCK420G”;用于12V电源线的 “TCK422G”和 “TCK423G”;用于9V电源线的“TCK424G”;以及用于5V电源线的“TCK425G”。与已经推出的用于20V电源线的“TCK421G”共同构成完整的产品线。

在新推出这五款产品后,TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择,这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压,该产品能用于5V至24V的电源线路。如果与外部背对背MOSFET,结合使用,它们也适用于配置具有反向电流阻断功能的负载开关电路(图1)或电源多路复用器电路(图2)。除此之外,其内置的电荷泵电路支持从2.7V至28V的宽输入电压范围,因此经过间歇操作,可在外部背对背MOSFET的栅极和源极之间提供稳定的电压---这种方式允许大电流的切换。

TCK42xG采用WCSP6G[1]封装,是业内最小的[2]封装类型之一,助力可穿戴设备、智能手机等小型设备实现高密度贴装,从而缩小它们的尺寸。

此外,东芝还开发出电源多路复用器电路参考设计,这是一种利用TCK42xG的功能的电源多路复用器参考设计示例。该设计示例于今日在东芝网站上发布。

注:
[1]1.2mm×0.8mm芯片级封装
[2]在MOSFET栅极驱动IC中,截至2022年6月的东芝调研。

图1:负载开关电路(单高边、背对背)
图1:负载开关电路(单高边、背对背)
图2:电源多路复用器电路
图2:电源多路复用器电路
图3:电源多路复用器电路板
图3:电源多路复用器电路板

应用

  • 可穿戴设备
  • 智能手机
  • 笔记本电脑、平板电脑
  • 存储设备等

特性

  • 内置电荷泵电路,栅极-源极电压设置(5.6V、10V)取决于输入电压
  • 过电压锁定支持5V至24V
  • 低输入关断电流:IQ(OFF)=0.5μA(最大值)@VIN=5V

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号

TCK420G

TCK421G

[3]

TCK422G

TCK423G

TCK424G

TCK425G

封装 名称 WCSP6G
尺寸(mm) 1.2×0.8(典型值),厚度=0.35(最大值)

工作范围

输入工作电压

VIN_opr(V)

@Ta=-40至85°C

2.7-28
电气特性

VIN UVLO阈值,VOUT下降

VIN_UVLO

 典型值/最大值(V)

@Ta=-40至85°C

2.0/2.5

VIN OVLO阈值,

VOUT下降

VIN_OVLO

最小值/最大值(V)

@Ta=-40至85°C

26.50/28.50

22.34/24.05

13.61/14.91

10.35/11.47

5.76/6.87

待机电流

(断态)

IQ(OFF)最大值(μA)

@VIN=5V,
Ta=-40至85°C

0.5

栅极驱动电压

(VGATE1-VIN

(VGATE2-VOUT

VGS典型值(V)

@VIN=12V/20V

10/10

10/10

10/-

5.6/-

-/-

-/-

栅极驱动电压

 (VGATE1-VIN

(VGATE2-VOUT

VGS典型值(V)

@VIN=5V/9V

10/10

10/10

10/10

5.6/5.6

5.6/5.6

5.6/-

VGS导通时间

tON典型值(ms)

@VIN=5V,

CGATE1,2=4000pF

2.9

VGS关断时间

tOFF典型值(μs)

@VIN=5V,

CGATE1,2=4000pF

52 23

OVLO

VGS关断时间

tOVP典型值(μs)

@CGATE1,2=4000pF

31

34

41

16

18

19

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注:
[3]已经发布的产品

如需了解相关新产品的更多信息,请访问:
TCK420G
TCK422G
TCK423G
TCK424G
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如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问:

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上海:021-6090-0610/深圳:0755-3661-5889

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